Quando um semicondutor extrínseco tipo P e tipo N são reunidos forma-se a junção PN e o componente resultante é chamado de diodo. Sobre o diodo e a...

A resposta correta é a alternativa B) Apenas a I, II e III são verdadeiras. Explicação: I - A camada de depleção é formada na junção PN e impede a livre movimentação de lacunas ou elétrons. Isso ocorre devido à diferença de cargas entre as regiões P e N, criando uma barreira que dificulta a passagem de portadores de carga. II - O potencial VF (Forward Voltage) depende principalmente dos materiais de que as camadas P e N do diodo são feitas e da quantidade de dopagem usada. Essas características influenciam na largura da camada de depleção e, consequentemente, no potencial VF. III - Não podemos considerar o valor de VF igual a 0,7 V para qualquer tipo de diodo. O valor de VF pode variar dependendo do material e da dopagem utilizados no diodo. IV - A proposição IV não está completa na descrição da pergunta, portanto não podemos avaliar sua veracidade. Espero ter ajudado! Se tiver mais alguma dúvida, é só perguntar.