Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld, em 1926 e por Oskar Heil, em 1934. Em 1960, John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas teor...

Os MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) são dispositivos semicondutores que possuem uma camada de óxido isolante entre o metal e o semicondutor. Existem dois tipos principais de MOSFETs: 1. MOSFET de Canal N (NMOS): Nesse tipo de MOSFET, o canal de condução é formado por portadores de carga negativa (elétrons). Quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal de controle (gate), os elétrons são atraídos para a região do canal, permitindo a passagem de corrente entre o terminal de dreno e o terminal de fonte. 2. MOSFET de Canal P (PMOS): Nesse tipo de MOSFET, o canal de condução é formado por portadores de carga positiva (lacunas). Quando uma tensão negativa é aplicada ao terminal de controle (gate), as lacunas são atraídas para a região do canal, permitindo a passagem de corrente entre o terminal de dreno e o terminal de fonte. Esses dois tipos de MOSFETs são utilizados em circuitos eletrônicos para amplificação, chaveamento e outras aplicações.