Julius Edgar registrou a primeira patente para um transistor de efeito de campo em 1926 e, em seguida, Oskar Heil também fez o mesmo em 1934. O tra...

Julius Edgar registrou a primeira patente para um transistor de efeito de campo em 1926 e, em seguida, Oskar Heil também fez o mesmo em 1934. O transistor de efeito de campo da porta de junção foi criado quando William Shockley, do Bell Labs, observou e elucidou o efeito do transistor em 1947. O que pode-se observar nestes componentes é a impedância de entrada que é: