Vamos analisar cada afirmativa: I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n. Falso, a barreira de Schottky é uma característica de certos tipos de dispositivos, mas não é a principal diferença entre FETs e MOSFETs. Os MOSFETs têm uma estrutura diferente e utilizam uma camada isolante entre a porta e o canal, o que não é mencionado aqui. II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Verdadeiro, essa afirmativa está correta, pois descreve adequadamente o funcionamento e as aplicações dos FETs. III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. Verdadeiro, essa afirmativa também está correta, pois os FETs realmente possuem alta impedância de entrada e são utilizados em aplicações que exigem amplificação de frequências altas. Com base nas análises, as afirmativas II e III estão corretas. Portanto, a alternativa que contém todos os itens verdadeiros é: II e III. Como não há uma opção específica listada, a resposta correta é que os itens II e III são verdadeiros.