Avaliação II - Individual Eletrônica Analógica I

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01/10/2023, 22:40 Avaliação II - Individual
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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:885535)
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Prova 70718550
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 9/1
Nota 9,00
O transistor de efeito de campo (FET) também é formado por três camadas semicondutoras. Diferentemente dos transistores de junção, que são 
ativados por uma corrente elétrica, os FETs são ativados por tensões elétricas e, por isso, podem amplificar ou anular a tensão elétrica de um circuito. 
Esses transistores são mais baratos e mais fáceis de serem fabricados que os demais transistores, sendo largamente utilizados em chips eletrônicos. Com 
base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os FETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a 
principal diferença para os MOSFETs tipo n.
II- O Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor 
tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre 
uma carga.
III- Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo 
substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores 
bipolares.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças II e III estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.
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O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas 
de depleção que rodeiam cada zona p e onde os elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p. Com base nesse contexto, classifique 
V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a 
partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G - gate) e na parte inferior do mesmo através de 
outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain). 
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as 
camadas imersas de material do tipo np.
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - F - V.
B V - V - F - F.
C V - F - F - V.
D F - V - V - F.
São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que eles podem trabalhar como amplificadores, 
osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador - nesse 
tipo de operação, o transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em sistemas de telecomunicações e sistemas 
de som onde os sinais necessitam ser amplificados para utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave - nesse tipo de 
operação, o transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa amplitude; como exemplo, podemos citar 
os transistores utilizados em inversores de frequência, que conseguem fazer o chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um 
motor utilizando PWM (modulação por largura de pulso). Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Há vários tipos de transistores FET, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: JFET; o transistor de efeito de campo metal-óxido-
semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de campo metal-semicondutor: MESFET.
( ) O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os outros dois.
( ) O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os demais controlam a tensão.
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( ) O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e os outros dois controlam a tensão.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - V - F.
C V - F - V - F.
D F - V - F - V.
O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na década de 1950, tornando-a uma das mais 
promissoras do mundo até hoje. Essa região abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, AMD, Dell, 
IBM e Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como Microsoft, Oracle e Google. Essa região é chamada de Vale do 
Silício. O silício possui várias aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de 
transistores. Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-comum. Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as 
sentenças a seguir:
I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a ambas), além disso, normalmente possui o menor 
potencial, próximo ao terra, quando não está efetivamente conectada ao terra. 
II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a 
direção da corrente de emissor (fluxo convencional).
III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas características, um que represente a saída e 
um que represente a entrada (ou o acionamento).
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e II estão corretas.
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D As sentenças II e III estão corretas.
Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas utilizadas em circuitos elétricos de diversas máquinas, 
eletrodomésticos, computadores, celulares etc. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C). 
II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e posteriormente ao emissor, a base e emissor possuem 
dopagem leve. 
III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula de controle de portadores do emissor para o 
coletor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças II e III estão corretas.
O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o 
transistor de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de 
computadores e aplicações de controle.
( ) Os transistores PNP operam com valores positivo - negativo - positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para 
outra, os cristais negativos ficam um em contato com o outro,sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.
( ) Um projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a 
mesma reta tangente do coletor e do emissor.
( ) O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o 
transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.
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Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - V - F - F.
C V - F - V - F.
D F - V - F - V.
Existem vários tipos de transistor e cada um deles possui um funcionamento e aplicação específica. Iremos descrever neste artigo sobre como 
funciona um transistor TBJ (transistor de junção bipolar). Um componente bipolar é chamado assim devido a serem constituídos de materiais do tipo P e 
do tipo N. Isso significa que para sua correta operação o material tipo P depende de portadores de carga positiva (lacunas) e o material de tipo N depende 
de portadores de carga negativa (elétrons). Os materiais semicondutores (tipo P ou tipo N) conseguem conduzir uma corrente elétrica, porém não 
conseguem conduzir tão bem quanto um material condutor. Como exemplo, podemos citar o silício e o germânio. Com base nesse contexto, classifique 
V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O transistor consiste em três camadas de material, sendo que duas delas são feitas de material igual.
( ) O princípio de operação do transistor é que uma pequena quantidade de corrente na base irá provocar o fluxo de uma grande quantidade de corrente 
no coletor.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-comum e emissor-comum.
( ) O transistor pode ter apenas duas configurações: base-emissor e emissor-comum.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - V - F.
C F - V - F - V.
D V - F - V - F.
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[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 
9 V. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a 
opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados 
da questão, é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Sendo que a corrente apresentada no multímetro
permanecerá a mesma.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no multímetro será de 69,43 mA.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Mas a corrente apresentada no multímetro irá
aumentar.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso. Mas a corrente apresentada no multímetro irá
aumentar.
Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto quanto possível ao funcionamento 
real de um dispositivo semicondutor sob condições específicas de operação. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ra, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
B Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo re, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
C Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo rh, o modelo pi híbrido e o modelo hibrido
equivalente.
D Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ry, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido
equivalente.
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01/10/2023, 22:40 Avaliação II - Individual
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 
9 V. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a 
opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados 
da questão, é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá
a resistência diminuída.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência aumentada.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá
a resistência aumentada.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a
resistência diminuída.
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