Sim, existem transistores de efeito de campo (FET) de canal N e canal P. A diferença entre eles é que o FET de canal N é construído com um substrato de material tipo P e um canal de material tipo N, enquanto o FET de canal P é construído com um substrato de material tipo N e um canal de material tipo P. Ambos os tipos de FET são amplamente utilizados em eletrônica para amplificação, comutação e outras aplicações.
Para escrever sua resposta aqui, entre ou crie uma conta
Compartilhar