As afirmações verdadeiras e falsas são: ( V ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). ( V ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta (G gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D drain). ( F ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np. ( F ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários. Observação: a terceira e quarta afirmações são falsas, pois se referem a outros tipos de transistores (MOSFET de canal p e FET). O JFET é um tipo de transistor de efeito de campo de junção, que possui apenas uma junção PN e é controlado pela tensão aplicada na porta.
Para escrever sua resposta aqui, entre ou crie uma conta
Compartilhar