Os dispositivos FETs são derivados da junção de materiais semicondutores dopados. Assinale a alternativa que melhor representa a principal diferenç...
Os dispositivos FETs são derivados da junção de materiais semicondutores dopados. Assinale a alternativa que melhor representa a principal diferença entre TBJs e FETs. Escolha uma opção: a. A magnitude da tensão de saída. b. Um é controlado por corrente e outro por tensão. c. É necessário aplicar uma tensão muito alta nos FETs, e não o mesmo para os TBJs. d. A magnitude da corrente de saída. e. Os materiais que são dopados são diferentes nos dois casos.
💡 1 Resposta
Ed 
A alternativa correta é a letra b. A principal diferença entre TBJs (Transistores Bipolares de Junção) e FETs (Transistores de Efeito de Campo) é que um é controlado por corrente (TBJs) e o outro por tensão (FETs). Nos TBJs, a corrente flui através de duas junções PN, enquanto nos FETs, a corrente flui através de um canal condutor criado por um campo elétrico aplicado.
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