Para calcular a mobilidade eletrônica (μn) de um semicondutor extrínseco tipo n, podemos utilizar a seguinte fórmula: μn = σn / (q * nn) Onde: σn é a condutividade elétrica do material; q é a carga do elétron (1,6 x 10^-19 C); nn é a concentração de elétrons do material. Substituindo os valores fornecidos na questão, temos: μn = 60 / (1,6 x 10^-19 * 1,05 x 10^21) μn = 0,357 m²/V.s Portanto, a alternativa correta é a letra E.
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