O objetivo desta dopagem é inserir um elemento químico contaminante de forma a aumentar o número de elétrons livres e, consequentemente, a quantida...
O objetivo desta dopagem é inserir um elemento químico contaminante de forma a aumentar o número de elétrons livres e, consequentemente, a quantidade de lacunas, ou seja, espaços deixados pelos elétrons que se tornaram livres, permitindo a passagem de corrente elétrica através desse material. Trata-se da dopagem
em materiais condutores. do tipo M. em materiais semicondutores. do tipo N. do tipo R.
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