Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os transistores de efeito de campo (FET - field-effect transistor, do inglês) é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão.
( ) O nome "efeito de campo" é derivado da característica de que para os dispositivos MOSFET é estabelecido um campo magnético pelas cargas presentes que controlaram o caminho de condução do circuito de entrada sem necessidade de contato direto entre as grandezas controladas e controladoras.
( ) Uma das principais características do FET é sua baixa impedância, os ganhos de tensão CC são muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos principais motivos de seu uso em circuitos integrados.
( ) Assim como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p, porém os transistores bipolares de junção, assim como o nome diz, são bipolares (condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito de campo são dispositivos unipolares (dependem unicamente da condução de elétrons - canal n - ou de lacunas - canal p).
A F - V - V - F.
B F - V - F - V.
C V - V - F - F.
D V - F - F - V.