A alternativa correta é a letra D) Trata-se de uma combinação entre o transistor de efeito de campo e o transistor bipolar. O IGBT é um dispositivo semicondutor que combina as características do transistor bipolar de junção (BJT) e do transistor de efeito de campo (FET), sendo utilizado para o acionamento de cargas em alta velocidade e com alta capacidade de corrente. As outras alternativas estão incorretas, pois: A) o ganho de corrente de gate-dreno depende da tensão no gate; B) o IGBT pode ser utilizado para acionamento de motores elétricos; C) o IGBT é composto de camadas de silício e não de SiO2 dupla; E) o IGBT possui as terminais coletor, emissor e gate.
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Processos de Desenvolvimento de Software
Engenharia da Computação
•UNINASSAU SÃO LUÍS
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