I. A medida que a temperatura aumenta, ocorrerá um aumento no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas diminuindo a barreira de pote...

A alternativa correta é a letra A) I, II e III. I. É verdadeira, pois o aumento da temperatura aumenta a quantidade de elétrons livres e lacunas, diminuindo a barreira de potencial na junção. II. É verdadeira, pois a tensão de pico reversa é o potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar na região de saturação. III. É verdadeira, pois a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo quando o mesmo está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação. Já a afirmação IV está incorreta, pois o valor da tensão não pode exceder a tensão de ruptura do diodo, pois isso pode danificá-lo. Além disso, a potência reversa também não pode exceder a faixa de potência do diodo, pois isso também pode danificá-lo.