Considerando as razões que motivam a utilização de um transistor de efeito de campo como estágio de entrada de amplificação, antes de um transistor bipolar, analise as sentenças a seguir:
I. Maior estabilidade térmica.
II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada.
A II e III, apenas.
B I, II e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D III e IV, apenas.
E II, III e IV, apenas.
I. Maior estabilidade térmica.
II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada.
A II e III, apenas.
B I, II e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D III e IV, apenas.
E II, III e IV, apenas.
Respostas
Ed 
ano passado
Analisando as sentenças fornecidas, a alternativa correta é a letra E) II, III e IV, apenas. Isso porque um transistor de efeito de campo é escolhido como estágio de entrada de amplificação antes de um transistor bipolar devido à sua boa sensibilidade à tensão, devido à alta impedância de entrada (sentença II), à maior estabilidade térmica (sentença III) e à capacidade de operar com baixa potência (sentença IV).
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Diante da seguinte cartela assinalada com os números 19, 22, 34, 47, 52 e 59 na base 10, analise as afirmativas a seguir com relação à troca de base numérica:
I. O número 4710 tem o LSB valor 0 e MSB valor 1 na base binária.
II. O número 5910 é transformado para 1110112 e 738 caso fosse registrado na base octal.
III. O número 5210 é convertido para 3416 e seu MSB tem valor oposto ao seu LSB em binário.
IV. O número 2210 é representado por 101102 em binário e sua transformação para hexadecimal seria representado por 010 110.
É correto o que se afirma em:
A II e III, apenas.
B I e IV, apenas.
C II, III e IV, apenas.
D III e IV, apenas.
E I, II e IV, apenas.
Partindo das funcionalidades e aplicações dos diodos e tiristores, aponte as afirmativas corretas a seguir:
I. Tiristores são formados por quatro regiões, P, N, P e P, contendo três ligações, ânodo, cátodo e gate.
II. Diodos são compostos por duas regiões, P e N, operando conforme a polarização que estão submetidos.
III. Chaves bi-estáveis são comparadas aos tiristores, de modo que as três junções P-N operam de forma similar a um chaveamento controlado.
É correto o que se afirma em:
A II e III, apenas.
B III, apenas.
C I, apenas.
D I e II, apenas.
E I, II e III.
Levando em consideração o texto acima e os latch SR e D controlado ilustrados, analise as afirmativas a seguir:
I. Quando S = 1 e R = 0, Q = 0, ao passo que para EN = 1 e D = 0, Q = 0.
II. Quando S = 1 e R = 1, Q = 1 resulta em situação inválida, enquanto EN = D = Q = 1 em “Set”.
III. Quando S = 0 e R = 1, Q = 0, ao passo que para EN = 0 e D = 0, Q mantem o estado anterior.
IV. Quando S = 0 e R = 0, Q mantem o estado anterior, o mesmo ocorre para EN = 0 e D = 1, que mantem o estado anterior.
É correto o que se afirma em:
A II e III, apenas.
B I, II e IV, apenas.
C I e IV, apenas.
D III e IV, apenas.
E II, III e IV, apenas.
Conforme o assunto abordado anteriormente, julgue a veracidade das afirmativas abaixo:
I. A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV.
II. A curva pode ser aproximada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo p e do tipo n.
III. O mecanismo de ruptura Zener, mesmo que esse tenha a principal relevância em baixos níveis de V_BV e região com acentuada mudança para quaisquer valores, é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener.
IV. A ruptura Schottky ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste modo poder perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e do tipo p "gerando" portadores.
É correto o que se afirma em:
A I, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II e III, apenas.
D II e III, apenas.
E II, III e IV, apenas.
Com relação às melhorias operacionais observadas no transistor MOSFET, analise as afirmativas a seguir:
I. Menor dissipação de calor.
II. Maior impedância de entrada.
III. Maior sensibilidade de tensão.
IV. Maior sensibilidade de corrente.
A II, III e IV, apenas.
B I, II e IV, apenas.
C I, II e III, apenas.
D I, apenas.
E III e IV, apenas.
Considerando o exposto e a seguinte representação, analise as sentenças a seguir:
I. A letra T apresenta nível lógico 0101111 nos segmentos.
II. A letra S apresenta nível lógico 0100100 nos segmentos.
III. A letra O apresenta um byte de 000000012 e nível lógico 0000001 nos segmentos.
IV. A letra P apresenta um byte de 000110102 e nível lógico de 0011010 nos segmentos.
A II e III, apenas.
B III e IV, apenas.
C I, II e IV, apenas.
D II, III e IV, apenas.
E I e IV, apenas.
Referente às diferentes configurações de utilização de transistores, analise as seguintes afirmativas:
I. Na topologia de base comum, a base atua como canal de entrada.
II. Na topologia de coletor comum, a base atua como canal de entrada.
III. Nos transistores NPN e PNP, para todas as configurações deve haver diferentes sentidos de polarização para os transistores.
IV. Na aplicação de transistores a partir da polarização por divisão de tensão, permite uma polarização robusta e controle de corrente de saída através do divisor de tensão, podendo usar um potenciômetro, por exemplo, para um fácil controle de corrente de saída.
A I, II e III, apenas.
B II, III e IV, apenas.
C I, II e IV, apenas.
D I, II, III e IV.
E I e III, apenas.
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