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15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 1/14 Prova Impressa GABARITO | Avaliação Final (Objetiva) - Individual (Cod.:956556) Peso da Avaliação 4,00 Prova 80451983 Qtd. de Questões 10 Acertos/Erros 6/4 Nota 6,00 Os componentes realizam a transformação dos números dados como entrada base decimal para a base que seu sistema operar, geralmente na base binária a transformação de números e operações completas acaba por gerar números longos em base binária, por isso, há a adaptação para base octal, simplificando e diminuindo o tempo de trabalho do sistema. Dados os valores na base binária 11110002 e 100111012, faça a operação de adição e em seguida, transforme o valor encontrado para base octal. Fonte: adaptado de: CAPUANO, F. G.; IDOETA, I. V. Elementos de eletrônica digital. São Paulo: Editora Érica, 2018. Quanto à adição e transformação, analise as sentenças a seguir: I. O resultado da soma é de 101101012. II. O resultado da soma é de 1000101012. III. O resultado da transformação é de 4258. IV. O resultado da transformação é de 4358. É VOLTAR A+ Alterar modo de visualização 1 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 2/14 É correto o que se afirma em: A III e IV, apenas. B I, II e III, apenas. C I, apenas. D I, II, III e IV. E II e IV, apenas. A conversão de base numérica traz celeridade a qualquer processo que necessite de cálculo, a transformações entre as bases se faz necessária, uma vez que componentes eletrônicos operam a níveis lógicos com valores 0 e 1. Muitas das vezes são realizadas diversas transformações da base para que seja alcançada a base requerida, indo de decimal para binário, octal e até a base hexadecimal por exemplo (CAPUANO; IDOETA, 2011). Em um jogo de loteria, deve-se assinalar seis números de uma cartela, os números vão de 1 ao 60 em decimal, após a escolha, a cartela é lida por um computador que passa os números em decimal para hexadecimal e por fim, os registra em um banco de dados. Fonte: adaptado de: CAPUANO, F. G.; IDOETA, I. V. Elementos de eletrônica digital. São Paulo: Editora Érica, 2018. Diante da seguinte cartela assinalada com os números 19, 22, 34, 47, 52 e 59 na base 10, analise as afirmativas a seguir com relação à troca de base numérica: I. O número 4710 tem o LSB valor 0 e MSB valor 1 na base binária. Revisar Conteúdo do Livro 2 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 3/14 II. O número 5910 é transformado para 1110112 e 738 caso fosse registrado na base octal. III. O número 5210 é convertido para 3416 e seu MSB tem valor oposto ao seu LSB em binário. IV. O número 2210 é representado por 101102 em binário e sua transformação para hexadecimal seria representado por 010 110. É correto o que se afirma em: A II e III, apenas. B I e IV, apenas. C II, III e IV, apenas. D III e IV, apenas. E I, II e IV, apenas. Os circuitos eletrônicos permitem em seu projeto a alocação de diversos componentes, desde que dimensionados para atingir o objetivo da sua criação, com isso, os diodos são ótimo auxiliares destes projetos, porém, em algumas aplicações, apenas o diodo não se faz suficiente, logo, tiristores são indicados. 3 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 4/14 Fonte: adaptado de: WATANABE, Edson. Apostila de Projeto de Instalações Elétricas Residenciais e Prediais, parte III. IFSC. Joinville – SC. 2010. Partindo das funcionalidades e aplicações dos diodos e tiristores, aponte as afirmativas corretas a seguir: I. Tiristores são formados por quatro regiões, P, N, P e P, contendo três ligações, ânodo, cátodo e gate. II. Diodos são compostos por duas regiões, P e N, operando conforme a polarização que estão submetidos. III. Chaves bi-estáveis são comparadas aos tiristores, de modo que as três junções P-N operam de forma similar a um chaveamento controlado. É correto o que se afirma em: A II e III, apenas. B III, apenas. C I, apenas. D I e II, apenas. E I, II e III. Um flip-flop pode ter uma ou mais entradas que são usadas para fazer com que o FF comute entre os seus possíveis estados de saída, a maioria das entradas dos FFs precisa ser apenas momentaneamente ativada (pulsada) para provocar a mudança de estado na saída do FF, sendo que a saída permanece no novo estado mesmo após o pulso de entrada terminar. Essa é a característica de memória dos FFs. O termo latch é usado para alguns tipos de flip-flop. 4 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 5/14 Levando em consideração o texto acima e os latch SR e D controlado ilustrados, analise as afirmativas a seguir: I. Quando S = 1 e R = 0, Q = 0, ao passo que para EN = 1 e D = 0, Q = 0. II. Quando S = 1 e R = 1, Q = 1 resulta em situação inválida, enquanto EN = D = Q = 1 em “Set”. III. Quando S = 0 e R = 1, Q = 0, ao passo que para EN = 0 e D = 0, Q mantem o estado anterior. IV. Quando S = 0 e R = 0, Q mantem o estado anterior, o mesmo ocorre para EN = 0 e D = 1, que mantem o estado anterior. É correto o que se afirma em: 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 6/14 A II e III, apenas. B I, II e IV, apenas. C I e IV, apenas. D III e IV, apenas. E II, III e IV, apenas. A avalanche é um mecanismo de colapso dos diodos de junção PN que possuem região mais fina. Nesta divisão, quando o campo elétrico é aplicado através do diodo, a velocidade da portadora de carga aumenta. Este carregador de carga colide com os outros átomos e cria os pares de buracos e elétrons. Conforme o assunto abordado anteriormente, julgue a veracidade das afirmativas abaixo: I. A região de avalanche designada como região Zener possui potencial de ruptura V_BV. II. A curva pode ser aproximada na região Zener do eixo vertical através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo p e do tipo n. III. O mecanismo de ruptura Zener, mesmo que esse tenha a principal relevância em baixos níveis de V_BV e região com acentuada mudança para quaisquer valores, é conhecida como região Zener e os diodos que são embasados somente nesta região da curva são conhecidos como diodos Zener. Revisar Conteúdo do Livro 5 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 7/14 IV. A ruptura Schottky ocorre quando o potencial de ruptura alcançar níveis muito baixos e deste modo poder perturbar as forças de ligação no interior do átomo devido à grade campo elétrico na região de junção dos materiais semicondutores do tipo n e do tipo p "gerando" portadores. É correto o que se afirma em: A I, apenas. B III e IV, apenas. C I, II e III, apenas. D II e III, apenas. E II, III e IV, apenas. É muito comum encontrar sistemas amplificadores que se baseiam em transistores com dois estágios. O primeiro estágio consiste de transistores de efeito de campo, enquanto o segundo consiste de transistores bipolares. Essa associação permite maior segurança, além de melhor controle de tensão e corrente, simultaneamente, o que não seria observado caso somente um tipo de transistor fosse utilizado. Fonte: adaptado de: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. Londres: Editora Pearson, 1984. Disponível em: https://mega.nz/file/W8VUXJDS#OMcDhhsa935XwtlEEpNlFEGb2bvbN9iA-yEDhLjRpAE. Acesso em: 2 abr. 2024. Considerando as razões que motivam a utilização de um transistor de efeito de campo como estágio de entrada de amplificação, antes de um transistor bipolar, analise as sentenças a seguir: I. Maior estabilidade térmica. II. Boa sensibilidade a tensão, devido à alta impedância de entrada. 6 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 8/14 III. Boa sensibilidade de corrente, devido à alta impedância de entrada. IV. Boa capacidade de armazenamento de carga em seu campo elétrico. É correto o que se afirma em: A II, III e IV, apenas. B I, apenas. C I, II e III, apenas. D I, II e IV, apenas. E IIIe IV, apenas. O transistor MOSFET opera de maneira similar aos transistores JFET, mas com características específicas devido a sua construção. Como os MOSFET contém uma camada de dióxido de silício isolando o gate, são observadas melhorias operacionais para determinas aplicações. Fonte: adaptado de: https://powerunit-ju.com/wp-content/uploads/2016/11/Book-Power_Electronics_Handbook_3rd_Edition_M_Rashid.pdf. Acesso em: 2 abr. 2024. Com relação às melhorias operacionais observadas no transistor MOSFET, analise as afirmativas a seguir: I. Menor dissipação de calor. II. Maior impedância de entrada. III. Maior sensibilidade de tensão. IV. Maior sensibilidade de corrente. É correto o que se afirma em: 7 https://powerunit-ju.com/wp-content/uploads/2016/11/Book-Power_Electronics_Handbook_3rd_Edition_M_Rashid.pdf 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 9/14 A II, III e IV, apenas. B I, II e IV, apenas. C I, II e III, apenas. D I, apenas. E III e IV, apenas. Na resolução de problemas encontrados que envolvam aplicação lógica, como é o exemplo da tecnologia, faz-se necessário o entendimento do problema desde seu início, com a utilização da tabela verdade e identificação das entradas e saídas, tornando sua resolução compreensível e resultado desejado alcançado. A seguinte situação é apresentada a você, em 4 displays de 7 segmentos tipo ânodo comum é necessário a escrita da palavra “STOP”, trata-se de um sistema de duas entradas X e Y, e foi requisitado a representação da combinação do nível lógico de cada letra em um byte de números binários. A seguir, estão os displays com a mensagem demandada e um modelo do display 7 segmentos. Fonte: adaptado de: CAPUANO, F. G.; IDOETA, I. V. Elementos de eletrônica digital. São Paulo: Editora Érica, 2018. Considerando o exposto e a seguinte representação, analise as sentenças a seguir: 8 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 10/14 I. A letra T apresenta nível lógico 0101111 nos segmentos. II. A letra S apresenta nível lógico 0100100 nos segmentos. III. A letra O apresenta um byte de 000000012 e nível lógico 0000001 nos segmentos. IV. A letra P apresenta um byte de 000110102 e nível lógico de 0011010 nos segmentos. É correto o que se afirma em: A II e III, apenas. B III e IV, apenas. 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 11/14 C I, II e IV, apenas. D II, III e IV, apenas. E I e IV, apenas. A configuração de emissor comum é a mais utilizada para transistores bipolares. Nessa topologia o emissor se encontra em comum com o circuito da base e do coletor. A figura ilustra essa topologia e apresenta também a topologia de polarização por divisão de tensão, que é encontrada com frequência em sistemas eletrônicos. Revisar Conteúdo do Livro 9 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 12/14 Fonte: https://bityli.com/yQApq. Acesso em: 2 abr. 2022. Referente às diferentes configurações de utilização de transistores, analise as seguintes afirmativas: I. Na topologia de base comum, a base atua como canal de entrada. II. Na topologia de coletor comum, a base atua como canal de entrada. III. Nos transistores NPN e PNP, para todas as configurações deve haver diferentes sentidos de polarização para os transistores. IV. Na aplicação de transistores a partir da polarização por divisão de tensão, permite uma polarização robusta e controle de corrente de saída através do divisor de tensão, podendo usar um potenciômetro, por exemplo, para um fácil controle de corrente de saída. É correto o que se afirma em: A I, II e III, apenas. B II, III e IV, apenas. 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 13/14 C I, II e IV, apenas. D I, II, III e IV. E I e III, apenas. Na polaridade P, a positiva, chamada ânodo, geralmente composta pelo elemento índio e a polaridade N, negativa, chamada cátodo. Com essa diferença em cada polo, o fenômeno de polarização acontece de acordo com o sentido da corrente. Por isso a aplicação do diodo é tão comum. Ele pode agir como um retificador de tensão, transformando a corrente alternada (AC) em corrente contínua (DC) em uma única direção. Conforme o breve trecho anterior, julgue a coerência das afirmativas abaixo: I. A sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida rápida após o seu "joelho". II. O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V. III. A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta. Revisar Conteúdo do Livro 10 15/04/2024, 20:01 Avaliação Final (Objetiva) - Individual about:blank 14/14 IV. O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, sensibilidade à temperatura etc. É correto o que se afirma em: A II, III e IV, apenas. B I e II, apenas. C I, II e III, apenas. D III, apenas. E II e IV, apenas. Imprimir
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