A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos 'impureza' na rede cristalina do Silício, originando...

A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos 'impureza' na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.

a) A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
b) A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
c) A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
d) A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
e) A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.