Vamos analisar cada alternativa: I. A curva característica é semelhante, porém refletida em relação ao eixo IC. Essa afirmação está incorreta. A curva característica de um MOSFET não é simplesmente refletida em relação ao eixo IC. II. A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal correto de IJ e VD. Essa afirmação está incorreta. A equação de Shockley não é aplicável aos MOSFETs, pois é específica para transistores bipolares. III. A mesma situação descrita para o MOSFET tipo depleção, onde todos os materiais, tensão e corrente são invertidos é observada quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal. Essa afirmação está incorreta. As características entre um MOSFET tipo depleção e um MOSFET tipo intensificação do canal não são simplesmente invertidas. IV. A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à apresentada para de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p, permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e sentido de tensão e corrente são invertidos. Essa afirmação está correta. A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é de fato oposta à de canal n, com a inversão das polaridades e sentido de tensão e corrente. Portanto, a resposta correta é a alternativa D) I, apenas.
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