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A. ( ) O elemento químico silício consegue efetuarligações covalentes nos seus elétrons de valência,compartilhando-os. B. ( ) As impurezas utilizad...

A. ( ) O elemento químico silício consegue efetuarligações covalentes nos seus elétrons de valência,compartilhando-os. B. ( ) As impurezas utilizadas para dopar os materiaiscondutores e torná-los semicondutores são o silício e ogermânio. C. ( ) A dopagem eletrônica é a adição de impurezasquímicas em um material condutor para torná-losemicondutor. D. ( ) Um fator que nunca terá influência nacondutividade elétrica

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Vamos analisar cada alternativa: A) (X) O elemento químico silício consegue efetuar ligações covalentes nos seus elétrons de valência, compartilhando-os. - Esta afirmação está correta. O silício é conhecido por formar ligações covalentes nos seus elétrons de valência. B) ( ) As impurezas utilizadas para dopar os materiais condutores e torná-los semicondutores são o silício e o germânio. - Esta afirmação está incorreta. As impurezas utilizadas para dopar os materiais condutores e torná-los semicondutores são geralmente outros elementos, não o silício e o germânio. C) (X) A dopagem eletrônica é a adição de impurezas químicas em um material condutor para torná-lo semicondutor. - Esta afirmação está correta. A dopagem eletrônica é de fato a adição de impurezas em um material condutor para alterar suas propriedades e torná-lo semicondutor. D) ( ) Um fator que nunca terá influência na condutividade elétrica. - Esta afirmação está incompleta. Você precisa completar a frase para que eu possa avaliar corretamente. Portanto, as alternativas corretas são A e C.

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