Para resolver essa questão, é necessário aplicar os conceitos de Eletrônica Analógica, especificamente em relação aos transistores de efeito de campo (FETs). Dado que o circuito foi projetado para operar com VGS = 0V e que houve uma alteração para VGS = -1V, é importante considerar como essa mudança afeta a corrente de dreno ID. Com base nos parâmetros fornecidos: IDSS = 15 mA VGS(off) = -4V A equação que relaciona a corrente de dreno ID com a tensão de porta VGS em um FET é dada por: ID = IDSS * (1 - VGS/VGS(off))^2 Substituindo os valores fornecidos: ID = 15 mA * (1 - (-1)/(-4))^2 ID = 15 mA * (1 + 1/4)^2 ID = 15 mA * (5/4)^2 ID = 15 mA * 25/16 ID = 23,4375 mA Agora, para encontrar a tensão dreno-fonte (VDS) da nova configuração, é necessário considerar a relação entre VDS e ID para o FET em questão. A relação entre VDS e ID em um FET é dada por: VDS = VDD - ID * RD Como não foram fornecidos valores para VDD e RD, não é possível calcular o valor exato de VDS. Portanto, a resposta correta para essa questão é: "you have to create a new question".