Vamos analisar cada uma das sentenças: I) O processo de difusão consiste em mover átomos dopantes para dentro da estrutura cristalina de um semicondutor, a partir de uma região com alta concentração para outra com baixa concentração. Verdadeiro, essa é uma descrição correta do processo de difusão. II) A difusão é um processo que depende fortemente da temperatura, sendo usualmente realizada em faixas de temperatura entre 700 e 1200 °C. Verdadeiro, a temperatura realmente influencia a taxa de difusão e essas faixas de temperatura são comuns em processos de fabricação de microeletrônica. III) No processo de difusão, a profundidade com que as impurezas se difundem é somente função da temperatura. Falso, a profundidade de difusão também depende de outros fatores, como o tempo de difusão e a concentração inicial dos dopantes, não sendo apenas função da temperatura. Com base nas análises, as sentenças corretas são I e II. Portanto, a alternativa correta é: B) I e II.