Para determinar o valor da resistência \( R_C \) que faz o transistor operar na região de saturação, precisamos considerar a relação entre a corrente de coletor (\( I_C \)), a corrente de base (\( I_B \)) e o ganho de corrente (\( \beta \)) do transistor. A relação é dada por: \[ I_C = \beta \cdot I_B \] Para que o transistor esteja na região de saturação, a corrente de coletor deve ser maior que a corrente de base multiplicada pelo ganho. Assim, podemos usar a fórmula: \[ I_B = \frac{I_C}{\beta} \] Sabendo que \( \beta = 100 \), podemos calcular \( I_B \) em função de \( I_C \). Além disso, a tensão de saturação do transistor e a tensão da fonte devem ser consideradas para calcular \( R_C \). A fórmula para \( R_C \) na região de saturação é: \[ R_C = \frac{V_{CC} - V_{CE(sat)}}{I_C} \] Sem os valores de \( V_{CC} \) e \( V_{CE(sat)} \), não podemos calcular diretamente \( R_C \). No entanto, se você tiver esses valores, você pode substituí-los na fórmula acima. Como não temos os valores exatos, não posso fornecer uma resposta direta. Você precisa fornecer mais informações ou criar uma nova pergunta.