Para responder à pergunta sobre a sensibilidade elevada dos MOSFETs e os riscos envolvidos, vamos analisar cada uma das alternativas: a) Falta de conexão direta entre a porta e o substrato, podendo ocasionar um efeito capacitivo que resulte em descargas elevadas, que poderão danificar o transistor. - Esta opção menciona um efeito capacitivo que pode ser um fator de risco, mas não é a principal razão da sensibilidade elevada. b) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática. - Esta opção é relevante, pois a camada de isolamento fina é uma das razões para a sensibilidade dos MOSFETs, especialmente em relação a descargas eletrostáticas. c) A proximidade dos contatos entre os terminais que reduzem o isolamento desses. - Embora a proximidade possa afetar o desempenho, não é a principal razão da sensibilidade elevada. d) O material utilizado no isolamento poderá oxidar facilmente na presença de umidade. - Isso pode ser um problema, mas não é a razão principal da sensibilidade elevada. e) A sensibilidade à elevação de corrente, que causará uma redução na resistência de entrada aumentando ciclicamente ainda mais a temperatura. - Esta opção fala sobre a sensibilidade à corrente, mas não aborda diretamente a razão da sensibilidade elevada. Após analisar as opções, a alternativa que melhor explica a razão da sensibilidade elevada dos MOSFETs e o risco envolvido é: b) A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática.