A funcionalidade de um diodo semicondutor reside na junção PN, uma interface metalúrgica entre um material tipo P e um tipo N. Na ausência de tensão externa, forma-se uma barreira de potencial e uma camada de depleção que se opõem ao fluxo livre de portadores de carga. A aplicação de uma tensão externa, processo conhecido como polarização, modula a largura dessa camada de depleção e a altura da barreira de potencial. Este controle sobre as propriedades da junção permite que o diodo opere em dois regimes distintos: condução de corrente sob polarização direta e bloqueio de corrente sob polarização reversa, sendo esta a base de sua propriedade retificadora.Fonte: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.Considerando os fenômenos físicos que ocorrem no processo de polarização de um diodo de junção PN, analise as afirmativas a seguir:I. Na polarização direta, a camada de depleção de uma junção PN se estreita, o que reduz sua resistência e facilita o fluxo de corrente dos portadores majoritários.
II. Na polarização reversa, a camada de depleção se alarga, mas uma pequena corrente de fuga, formada por portadores minoritários, consegue atravessar a junção.
III. A corrente de um diodo em polarização direta segue uma relação exponencial com a tensão, e o valor de 0,7 V para o silício é uma aproximação do "joelho" da curva, não um ponto de condução abrupto.
IV. A ruptura reversa em diodos com alta dopagem ocorre pelo Efeito Zener (campo elétrico intenso), enquanto em diodos com menor dopagem, ocorre pelo Efeito Avalanche (multiplicação de portadores por colisão).É correto o que se afirma em:
A) III e IV, apenas.
B) I, II e III, apenas.
C) I, II, III e IV.
D) I, apenas.
E) II e IV, apenas.