Grátis: A barreira de potencial de uma camada de depleção em um diodo de silício é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Essa tensão, também chamada de... – Questões Respondidas

Eletrônicos

Outros

A barreira de potencial de uma camada de depleção em um diodo de silício é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Essa tensão, também chamada de tensão de limiar ou potencial de barreira, representa a diferença de potencial que impede o fluxo de corrente através do diodo na ausência de polarização direta.
A barreira de potencial de cada camada de depleção de silício é?
a) 0
b) 0,3 V
c) 0,7 V
d) 1 V

Progresso com Exercícios

há 4 semanas

Progresso com Exercícios

há 4 semanas

Lista 2 Eletrônica Analógica

Lista 2 Eletrônica Analógica

DOCTUM

Respostas

Ed

há 4 semanas

A barreira de potencial de um diodo de silício é uma característica fundamental que impede o fluxo de corrente na ausência de polarização direta. Como mencionado na descrição, essa tensão é tipicamente de aproximadamente 0,7 volts. Analisando as alternativas: a) 0 - Isso não é correto, pois a barreira de potencial não é zero. b) 0,3 V - Essa tensão é muito baixa para a barreira de potencial de um diodo de silício. c) 0,7 V - Esta é a tensão correta, conforme mencionado na descrição. d) 1 V - Essa tensão é maior do que a barreira típica de um diodo de silício. Portanto, a alternativa correta é: c) 0,7 V.

Essa resposta te ajudou?

0

0

Ainda com dúvidas?

Envie uma pergunta e tenha sua dúvida de estudo respondida!

Essa pergunta também está no material:

Lista 2 Eletrônica Analógica

Lista 2 Eletrônica Analógica

DOCTUM

Mais perguntas desse material

Um transistor bipolar possui duas junções PN. Em um transistor, essas junções são formadas entre a região do emissor e a base, e entre a região do coletor e a base. Os transistores podem ser construídos com dois arranjos: NPN (onde duas regiões N são separadas por uma região P) e PNP (onde duas regiões P são separadas por uma região N). Em ambos os tipos de transistores, as duas junções PN são essenciais para o seu funcionamento como amplificador ou interruptor.
Quantas junções PN existem em um transistor?
a) 1
b) 2
c) 3
d) 4

Em um transistor NPN, os portadores majoritários no emissor são elétrons. Isso ocorre porque o emissor em um transistor NPN é feito de material semicondutor tipo n, que possui uma concentração muito maior de elétrons livres do que lacunas (buracos).
Num transistor npn, os portadores majoritários no emissor são?
a) Elétrons livres
b) Lacunas
c) Nenhuma das respostas acima
d) As duas respostas

Diodos emissores de luz (LEDs) funcionam corretamente quando polarizados diretamente, ou seja, quando o terminal positivo da fonte de energia é conectado ao ânodo e o terminal negativo ao cátodo.
o diodo emissor em geral:
a) É diretamente polarizado.
b) É reversamente polarizado.
c) É não condutor.
d) Opera na região de ruptura.

Para que um transistor bipolar funcione corretamente como amplificador, o diodo coletor (junção coletor-base) deve ser polarizado inversamente. Isso significa que o terminal do coletor deve ter uma tensão mais alta que o terminal da base.
Para uma operação normal do transistor o diodo coletor deve?
a) Ser diretamente polarizado
b) Ser reversamente polarizado
c) Ser não condutor
d) Operar na região de ruptura

A base de um transistor NPN é estreita e levemente dopada. Essa característica permite que a corrente de base controle a corrente entre o coletor e o emissor. A espessura reduzida da base e sua dopagem leve fazem com que a maioria dos elétrons injetados do emissor atravesse a base em direção ao coletor, em vez de se recombinar com lacunas na base.
A base de um transistor npn é estreita e
a) Fortemente dopada
b) Levemente dopada
c) Metálica
d) Dopada com um material

A maioria dos elétrons em um transistor NPN circula entrando pelo emissor. Embora uma pequena corrente de base seja necessária para iniciar o processo, a maioria dos elétrons flui do emissor para o coletor, com a base atuando como controle.
A maioria dos elétrons na base de um transistor npn circula:
a) Saindo do terminal externo da base
b) Entrando pelo coletor
c) Entrando pelo emissor
d) Entrando pela fonte de tensão da base

O beta (β) de um transistor, também conhecido como ganho de corrente, é definido como a razão entre a corrente do coletor (Ic) e a corrente da base (Ib). Matematicamente, isso é expresso como: β = Ic / Ib.
O beta de um transmissor é a razão da?
a) Corrente do coletor para a corrente do emissor
b) Corrente do coletor para a corrente da base
c) Corrente da base para a corrente do coletor
d) Corrente do emissor para a corrente do coletor

Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor de um transistor, a corrente do coletor também aumentará, mantendo-se a corrente da base constante. Isso ocorre porque a tensão do coletor afeta a quantidade de corrente que pode fluir através do transistor, enquanto a corrente da base controla a quantidade de corrente que pode fluir do emissor para o coletor.
Aumentando-se a tensão de alimentação do coletor, aumentará?
a) A corrente da base
b) A corrente do coletor
c) A corrente do emissor
d) Nenhuma das respostas acima

A dopagem de um material semicondutor, como o silício em um transistor, refere-se à adição intencional de impurezas para aumentar sua condutividade elétrica. No caso do emissor de um transistor bipolar (NPN), a alta concentração de elétrons livres (portadores majoritários) é obtida por meio de uma dopagem mais intensa em comparação com as outras regiões do transistor (base e coletor).
O fato de existir muitos elétrons livres na região do emissor de um transistor significa que o emissor é
a) Levemente dopado
b) Fortemente dopado
c) Não dopado
d) Nenhuma das alternativas acima