Para resolver essa questão, precisamos entender como a tensão de porta (VGS) afeta a corrente de dreno (ID) em um transistor JFET, considerando os parâmetros fornecidos. Dado: - IDSS = 15 mA (corrente de dreno com VGS = 0V) - VGS_off = -4 V (tensão de porta onde a corrente de dreno é zero) - VGS = -1 V (nova tensão de porta) Podemos usar a equação da corrente de dreno para um JFET: \[ ID = IDSS \left(1 - \frac{VGS}{VGS_{off}}\right)^2 \] Substituindo os valores: \[ ID = 15 mA \left(1 - \frac{-1}{-4}\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \left(1 - 0.25\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \left(0.75\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \times 0.5625 \] \[ ID = 8.4375 mA \] Agora, para encontrar a tensão dreno-fonte (VDS), precisamos considerar a tensão de alimentação e a resistência de carga. No entanto, a questão não fornece informações sobre a configuração exata do circuito, como a tensão de alimentação ou a resistência de carga. Dado que não temos informações suficientes para calcular VDS diretamente, não podemos determinar a resposta correta entre as opções fornecidas (A, B, C, D, E). Portanto, você precisa criar uma nova pergunta com mais informações sobre o circuito para que eu possa ajudar.