Para resolver essa questão, precisamos entender como a tensão de porta (VGS) afeta a corrente de dreno (ID) em um transistor JFET, considerando os parâmetros fornecidos. Dado: - IDSS = 15 mA (corrente de dreno com VGS = 0V) - VGS_off = -4 V (tensão de porta na qual a corrente de dreno é zero) - VGS = -1 V (nova tensão de porta) Podemos usar a equação da corrente de dreno para um JFET: \[ ID = IDSS \left(1 - \frac{VGS}{VGS_{off}}\right)^2 \] Substituindo os valores: \[ ID = 15 mA \left(1 - \frac{-1}{-4}\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \left(1 - 0.25\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \left(0.75\right)^2 \] \[ ID = 15 mA \times 0.5625 \] \[ ID = 8.4375 mA \] Agora, para encontrar a tensão dreno-fonte (VDS), precisamos usar a lei de Ohm e a resistência de carga (2.2kΩ): \[ VDS = VDD - ID \times R \] Onde VDD = 20 V e R = 2.2kΩ. Substituindo os valores: \[ VDS = 20 V - (8.4375 mA \times 2.2 kΩ) \] \[ VDS = 20 V - (0.0084375 A \times 2200 Ω) \] \[ VDS = 20 V - 18.6 V \] \[ VDS = 1.4 V \] Portanto, a tensão dreno-fonte da nova configuração é aproximadamente 1,43 V. A alternativa correta é: A) 40 1,43V.