Vamos analisar as alternativas uma a uma para identificar a correta sobre a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) e sua aplicação na formação de pontos quânticos: A) A MBE permite a remoção de átomos de um material inicial para formar nanoestruturas, sendo ideal para a fabricação de pontos quânticos devido à sua precisão. - Esta afirmação não é precisa, pois a MBE não se baseia na remoção de átomos, mas sim na deposição. B) A MBE permite o crescimento de cristais de nanomateriais com alto controle sobre a superfície e alta pureza do material, sendo especialmente vantajosa para a formação de pontos quânticos devido à deposição átomo a átomo. - Esta afirmação é correta, pois a MBE realmente permite o crescimento controlado e de alta pureza, ideal para a formação de pontos quânticos. C) A MBE é um método de deposição química em fase vapor para a fabricação de filmes finos, permitindo a formação de pontos quânticos com alta pureza e controle de superfície. - Embora a MBE envolva deposição em fase vapor, a descrição não é tão específica quanto à deposição átomo a átomo, que é um aspecto crucial. D) A MBE utiliza uma nanocaneta para escrever nanoestruturas em uma superfície, sendo ideal para a fabricação de pontos quânticos devido à sua precisão. - Esta afirmação é incorreta, pois a MBE não utiliza uma nanocaneta, mas sim feixes moleculares. E) A MBE utiliza feixes de íons focados para varredura da superfície da amostra, permitindo a deposição de materiais semicondutores em camadas. - Esta afirmação é incorreta, pois a MBE utiliza feixes moleculares, não feixes de íons. Após essa análise, a alternativa correta é: B) A MBE permite o crescimento de cristais de nanomateriais com alto controle sobre a superfície e alta pureza do material, sendo especialmente vantajosa para a formação de pontos quânticos devido à deposição átomo a átomo.