Vamos analisar cada afirmativa: I. Z in (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais. Verdadeiro, a alta impedância de entrada é uma característica importante em circuitos digitais, pois permite que a carga seja mantida sem descarregar rapidamente. II. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em alguns nano segundos. Falso, essa descrição é mais adequada para transistores de potência ou dispositivos como tiristores, e não se aplica a todos os dispositivos de memória ou circuitos digitais. III. Menos ruidosos do que os bipolares e mais adequados para estágios de entrada de amplificadores. Verdadeiro, os dispositivos de estado sólido, como os FETs, geralmente têm menos ruído em comparação com os transistores bipolares e são frequentemente usados em estágios de entrada de amplificadores. Com base na análise, os itens I e III são verdadeiros, enquanto o II é falso. Portanto, a alternativa correta deve conter os itens I e III. Como não foram fornecidas opções de resposta, não posso indicar uma alternativa específica. Se você tiver as opções, por favor, compartilhe!