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14 V 1,2 kΩ IDQ DSS = 6 mA Vp=-4V + VGSQ 1 MQ 0,43 kΩ FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 397) Com base no circuito apresentado, analise as sentenças a seguir: I- Se VGS= OV, temos ID= IDSS= 6 mA. II- Se VGS= VP= -4 V, temos ID= 0 mA. III- Se VGS= VP/2= -2V, temos ID= IDSS/4 = 1,5 mA. Assinale a alternativa CORRETA:
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Fabio Freitas

ontem

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ontem

Vamos analisar cada uma das sentenças: I- Se VGS = 0 V, temos ID = IDSS = 6 mA. Verdadeiro. Quando VGS é igual a 0 V, o transistor está em sua condição de saturação máxima, e ID será igual a IDSS. II- Se VGS = VP = -4 V, temos ID = 0 mA. Verdadeiro. Quando VGS é igual a Vp (tensão de corte), o transistor está cortado, resultando em ID = 0 mA. III- Se VGS = VP/2 = -2 V, temos ID = IDSS/4 = 1,5 mA. Falso. Para VGS = -2 V, o valor de ID não é simplesmente IDSS/4. A relação entre VGS e ID não é linear dessa forma, e o cálculo exato depende da característica do dispositivo. Portanto, as sentenças I e II estão corretas, enquanto a III está incorreta. A alternativa correta que contém todos os itens verdadeiros é: a) I e II.

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