Vamos analisar cada uma das afirmações sobre o modelo CA do amplificador com JFET: ( ) As capacitâncias entre gate e source e entre o gate e o dreno geralmente possuem valores entre 0,1 pF e 1 pF. É verdadeira (V). Esses valores são típicos para capacitâncias parasitas em JFETs. ( ) A capacitância entre dreno e source vai de 1 pF até 10 pF. É verdadeira (V). A capacitância entre dreno e source (C_ds) pode variar dentro dessa faixa, dependendo do dispositivo. ( ) Para qualquer configuração do TBJ ou JFET, o procedimento para determinar as frequências de corte pode ser aplicado. É verdadeira (V). O procedimento para determinar as frequências de corte é aplicável a diferentes configurações de amplificadores, tanto para transistores bipolares (TBJ) quanto para JFETs. Portanto, a sequência correta é: a) V - V - V.