Em relação às estratégias para limitar o dv/dt em dispositivos semicondutores, qual das alternativas abaixo está INCORRETA? O aumento da resistência do gate reduz o dv/dt, pois limita a velocidade de carga e descarga da capacitância de entrada. A equação dv/dt = Igate/Ciss mostra que a taxa de variação da tensão é controlada pela corrente do gate e pela capacitância de entrada A redução da resistência do gate é a principal estratégia para limitar o dv/dt em IGBTs e MOSFETS. O uso de capacitores snubber absorve os transientes de tensão, controlando o dv/dt. A configuração de Dead Time permite que a carga nos capacitores de comutação se estabilize, reduzindo picos de dv/dt.