Pergunta 4 A indústria de dispositivos eletrônicos, como diodos e transistores, depende fundamentalmente do controle preciso das propriedades elétricas dos semicondutores. Diferentemente dos metais (que possuem banda parcialmente preenchida ou sobreposta) e dos isolantes (com grande lacuna de banda), os semicondutores têm uma lacuna de banda intermediária. Para modular sua condutividade e funcionalidade, emprega-se a técnica de dopagem. Sobre a dopagem em semicondutores, é correto afirmar que: Opção A A dopagem consiste em purificar o material semicondutor até atingir um estado intrínseco. Opção B Semicondutores tipo n são obtidos pela introdução de átomos com menos elétrons de valência, gerando "buracos" para a condução. Selecionado Opção C A dopagem tipo n introduz elétrons adicionais (ex: P ou As no Si), criando níveis doadores próximos à banda de condução, e a dopagem tipo p introduz átomos com menos elétrons de valência (ex: B, Al ou Ga no Si), gerando buracos na banda de valência, ambos aumentando a condutividade do material. Opção D Semicondutores tipo p são criados pela adição de dopantes que fornecem elétrons adicionais, enquanto semicondutores tipo n são formados por dopantes que geram buracos. Opção E A dopagem sempre aumenta a lacuna de banda, tornando o material mais isolante.