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1 SEL313 – Circuitos Eletrônicos I 2a Prova – 2011 1a Questão: Analisando o circuito da Figura 1a, calcular: - O ponto quiescente @ 27 °C. - As grandezas AC para pequenos sinais e baixas frequências (Aυ, Ri e Ro). - A frequência de corte nas baixas: fCB. Dados: JFET ≡> β =2,75131017391 mA/V2 ; VTo = -1,0 V e λ = 0,01 V-1. BJT ≡> IS = 19,26736 fA ; βF = 162,857466867 ; NF = 1 ; VAF = 110 V. Considerar VBE = 0,575 V. Figura 1 – a.) Circuito Analisado na Questão 1. b.) Circuito Analisado na Questão 3. Resolução: - Ponto quiescente: A corrente de dreno do JFET do circuito da Figura 1 vale: ( ) ( )[ ] 01 121 =−−+×−−+− DoCCToDD IRVVVIRI λβ (1.1) 2 A corrente de coletor do BJT é igual à corrente de dreno do JFET e vale: −== 1tF BE VN V B S DC eq I II onde: BECCoAF AF BECEAF AF B VVVV V VVV V q −++ = −+ = Juntando-se as duas equações acima, tem-se que: ( ) −× −×−+− = 1 1 tF BE tF BE VN V S VN V SBECCAFAFD o eI eIVVVVI V (1.2) As Equações 1.1 e 1.2 formam um sistema com duas incógnitas (ID e Vo), já que todas as outras grandezas são conhecidas. Resolvendo o sistema para θ = 27°C, tem-se: IC = ID = 100 µA e Vo = 2 V A corrente de base vale: 26,5341 857466867,162 26736,191 865,25 575,0 = −= −= mVN V F S B e f e I I tF BE β [nA] ⇒ 175,187 26,534 100 == n µβ Então: 18,1282,02151 =−−=−−= DoCCDS IRVVV [V] e 17)15(2 =−−=CEV [V] Os parâmetros incrementais dos transistores valem, portanto: - JFET: 111,1 182,0 2002 = +− == u V I g Dsat D m [mA/V] e 1218,11 1218,011 = + = + = µλ λ D DS ds I V r [MΩ] - BJT: 866,3 865,25 100 == m gm µ [mA/V] ; 413,48 866,3 175,187 == m rpi [kΩ] 3 26425,1 100 575,017110 = −+ = µo r [MΩ] - Grandezas AC para pequenos sinais e baixas frequências: A resistência interna da fonte de corrente, formada pelo JFET, vale: ( ) ( ) 3508,112811111218,111218,11 1 =××++=++= kMRrgrR dsmdsof [MΩ] O ganho de tensão do amplificador (EC) vale, portanto: MM MM mRgA Cm 3508,1126425,1 3508,1126425,1866,3* + × ×−=−=υ ⇒ Aυ = -4.398,36 V/V [72,866dB] kM kM rR rR Ri 413,4827 413,4827 2 2 + × = + = pi pi ⇒ Ri = 48,326 kΩ MM MM Rr Rr R ofo ofo o 3508,1126425,1 3508,1126425,1 + × = + = ⇒ Ro = 1,1375 MΩ - Frequência de corte nas baixas: A frequência de corte nas baixas é determinada pelo capacitor C1 e vale: kRC f i CB 326,4847,02 1 2 1 1 µpipi == ⇒ fCB = 7,0 Hz 2a Questão: Analisando o circuito da Figura 2, calcular: - O ponto quiescente @ 27 °C. - O ganho de tensão: Aυ. - As frequências de corte: fCB e fCA. Desprezar CGD e CGS dos FET ’s. Dados: QnA ≡> β =182,96 ; VBE = 0,6218 V ; NF = 1,0022 e VAF = 110,4 V. QnC ≡> β =536,54 ; VBE = 0,6386 V ; NF = 1,0022 e VAF = 33,38 V. 4 Figura 2 – Circuito Analisado na Questão 2. Resolução: - Ponto quiescente: As equações das correntes do circuito da Figura 2 são: 2 2 1 1 1 1 1 ββ CC C CECC III R VV ++= − ; 1 1 3 11 β CBECE I R VV = − e 1222 2 2 1 CEBEC VVRI =+×× + β β É um sistema, portanto, de três equações e três incógnitas (IC1, IC2 e VCE1). Isolando-se as incógnitas, tem-se: 1 3 11 1 β×−= R VV I BECEC ; 12 2 2 21 2 + × − = β β R VV I BECEC e 01 1 2 2 1 1 1 1 =× +× + −+− R I IVV CCCCCE ββ β Numericamente resulta: 010000 54,53696,182 96,18312 211 =× +×−+− CCCE I IV onde: 5 96,182 2000000 6218,01 1 × − = CE C V I e 54,537 54,536 5600 6386,01 2 × − = CE C V I A resolução do sistema acima apresenta os seguintes resultados: VCE1 = 6,538 V ; IC1 = 541,245 µA e IC2 = 1,051 mA Finalmente: 10,6051,1 54,536 54,5375600122 =××−= mVCE V Os parâmetros incrementais valem, então: 88,20 865,250022,1 245,541 1 = × = m gm µ [mA/V] ; 763,8 88,20 96,182 1 == m rpi [kΩ] ; 9,214 245,541 6218,0538,64,110 1 = −+ = µo r [kΩ] 545,40 865,250022,1 051,1 2 = × = m mgm [mA/V] ; 233,13545,40 54,536 2 == m rpi [kΩ] ; 957,36 051,1 6386,01,638,33 2 = −+ = m ro [kΩ] - Grandezas AC para pequenos sinais e baixas frequências: - Resistências de entrada: ( )[ ] ( ) ( ) 1113*21*21 1 * 21 * 213 41 1 pi pi rrgRRrRr rRrRrR RR omioio ioio i ×++×++× ××++× += e ( ) 22 2222 2 * 2 1 Rr Rrrg rR o om i + ××+ += pipi - Ganhos de tensão: ( ) 3 * 1 * 131 1 1 RR RRgA L Lm + ×− =υ e ( ) ( ) ( ) 2222222 2222 2 1 1 pipi pi υ rRrRrrg RrrgA oom om ×++××+ ××+ = A resistência de carga do primeiro estágio é Ri2*. Então: ( ) 627,2 6,5957,36 6,5957,3654,5361233,13*2 = × ××+ += kk kkkRi [MΩ] e 52,9//// 1*21*1 == RRrR ioL [kΩ] Assim: ( ) 8563,197 252,9 52,9288,201 1 −=+ ××− = Mk kMmAυ [V/V] e 6 ( ) ( ) ( ) 99478,0233,136,5957,366,5957,3654,5361 6,5957,3654,5361 2 = ×++××+ ××+ = kkkkk kkAυ [V/V] Então, como Aυ = Aυ1 * Aυ2 ⇒ Aυ = -196,81 V/V [45,88 dB] 3a Questão (valor: 2,0): Calcular o valor de RS do circuito da Figura 1b para que Io = 100 µA, com Vo = 15 V. Calcular, posteriormente, a resistência interna da fonte (Rof ou rdo). Dados: fetex ⇒ β = 3,061 mA/V2 ; VTo = -1,0 V e λ = 0,01 V-1. Resolução: Para o circuito da Figura 1b, as equações valem: ( ) ( ) ( ) oGS GSoGSTo S IV VIVV R βλ λβλβ 1 11 1 11 − −−−− = (3.1) Supondo, em primeira instância, VGS1 = -RSIo, calcula-se, através da Equação 3.1, o valor de RS, o qual, arredondado para o valor comercial mais próximo, vale: RS = 8,2 kΩ Com RS = 8,2 kΩ e com Vo = 15 V, calcula-se VGS1 através do sistema de equações 3.2: ( ) ( ) 032112122 1213 1 =++++++ kVkVkkVVkkV ToGSToGSGS (3.2) oSo IRVk −+= λ 1 1 ToVk 22 −= λβ oIk −=3 Então: VGS1 = -0,83023 V Como VGS2 = = -RSIo = -0,82 V, então VG1 = -0,82 V e VS1 = VD2 = 1,65023 V. Portanto: VGS1=-0,83023 V ; VGS2=-0,82 V ; VDS1=13,35 V ; VDS2=0,83023 V e ID1 = ID2 = 100µA. Os parâmetros incrementais valem, portanto, com Vo = 15 V: 178,1 83023,01 200 1 = − = µ mg [mA/V] ; 111,182,01 200 2 = − = µ mg [mA/V] 1335,1 10001,0 35,1301,01 1 = × ×+ = µds r [MΩ] ; 0083,1 10001,0 83023,001,01 2 = × ×+ = µds r [MΩ] 7 A resistência interna da fonte vale: ( ) ( )[ ]Sdsmdsdsmdsof RrgrrgrR 222111 11 ++++= ⇒ ( ) ( )[ ]kMmMMmMRof 2,80083,1111,110083,11335,1178,111335,1 ××++×++= ⇒ Rof = 13,6362 GΩ
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