AV2 - MATERIAS E DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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27/12/2021 11:40 Comentários
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AV2
Valdemir Manoel da Silva Ju…
Pergunta 1 -- /0,6
Os transistores MOSFET podem ser usados para implementar funções lógicas. Sobre essa temática, as 
maiores vantagens da lógica MOS são:
condutividade com qualquer valor de corrente.
fornecer saída digital cujo nível independe da maior entrada.
Resposta corretabaixo consumo e maior densidade na integração.
velocidade de operação competitiva e consumo relativamente elevado.
confiabilidade e menor densidade de integração.
Nota final
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6/6
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Tentativa 1
Enviado: 27/12/21 11:39 (BRT)
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Pergunta 2 -- /0,6
Um processo tecnológico que tem por finalidade introduzir átomos estranhos (impureza) na estrutura 
cristalina de uma substância pura é a:
filtragem.
Resposta corretadopagem.
fissão.
ligação covalente.
selagem.
Pergunta 3 -- /0,6
A figura abaixo mostra o símbolo de duas fontes dependentes (ou controladas):
Com base na figura, assinale a alternativa correta.
questão 02 materiais e dispositivos eletronicos (extra).png
tanto a fonte da figura ( a ) quanto da figura ( b ) são fontes de tensão.
ambas são fontes de corrente.
Resposta corretafonte de tensão ( a ) e fonte de corrente ( b ).
fonte de corrente ( a ) e fonte de tensão ( b ).
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são fontes independentes de tensão e de corrente, respectivamente. 
Pergunta 4 -- /0,6
A figura mostra a estrutura atômica de um cristal puro de silício e do germânio. Marque a opção que 
relaciona, de forma correta, as indicações nas imagens e seus respectivos nomes: 
questão 03 materiais e dispositivos eletrônicos.png
I – camada, II – elétron de valência, III – camada de valência, IV – elétrons em órbita e V – núcleo.
Resposta correta
I – camada de valência, II – elétron de valência, III – camadas, IV – elétrons em 
órbita e V – núcleo.
I – camada de valência, II – elétron de valência, III – núcleo, IV – elétrons em órbita e V – 
camadas.
I – elétron de valência, II – camada de valência, III – camadas, IV – elétrons em órbita e V – 
núcleo.
I – camada de valência, II – elétron de valência, III – camadas, IV – núcleo e V – elétrons em 
órbita.
Pergunta 5 -- /0,6
Dentre os elementos citados abaixo, qual faz parte dos semicondutores?
Ag, W e B.
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S, O e Si.
Resposta corretaGe, Si e GaAs.
Ge, O e Si.
GaAs, H e Fe.
Pergunta 6 -- /0,6
Quais são as formas de perdas de potência em um transistor bipolar de potência (BJTs)?
perda somente por fuga.
apenas perdas térmicas.
Resposta correta
perdas na condução, perdas por fuga, perdas por passagem para o estado 
ligado e perdas durante o desligamento.
apenas perdas elétricas.
perdas só por passagem para o estado desligado.
Pergunta 7 -- /0,6
A tensão de saída mostrada abaixo é a tensão de um amplificador operacional de qual tipo?
questão 02 materiais e dispositivos eletrônicos.png FINAL.png
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integrador.
inversor.
diferenciador.
Resposta corretasomador.
não inversor.
Pergunta 8 -- /0,6
É utilizado em eletrônica de potência um elemento que apresenta três terminais e é útil para o controle de 
potência CA. Tal componente é capaz de conduzir corrente em ambas as direções, direta e inversa, 
podendo ser controlado por um sinal na porta, de polaridade positiva ou negativa.
A descrição acima refere-se ao:
transistor bipolar de junção (bipolar junction transistor – BJT).
retificador controlado de silício (silicon controlled rectifier – SCR).
MOSFET
Resposta corretatriodo CA (triode AC – TRIAC).
transistor bipolar de porta isolada (insulated gate bipolar transistor – IGBT).
Pergunta 9 -- /0,6
Considere o circuito abaixo utilizando amplificador operacional. É correto afirmar que o valor do ganho de 
tensão desse circuito é de, aproximadamente:
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questão 06 materiais e dispositivos eletronicos (extra).png
Resposta correta67
48
72
37
23
Pergunta 10 -- /0,6
Um par de elétrons compartilhado pelos dois átomos, como na molécula da água, é um tipo de ligação:
Resposta corretaligação simples.
iônicas.
metálicas.
direta.
indireta