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1) Uma determinada memória tem uma capacidade de 16K X 32. Quantas palavras ela pode armazenar? Qual é o número e bits por palavras? Quantas células de memória ele contém? RESPOSTA: 16.384; 32; 524.288. 2) Qual a capacidade de uma memória que tem 16 entradas d endereços, quatro entradas de dados e quatro saídas de dados? RESPOSTA: 64K x 4. 3) Consulte a Figura 2.5. Determine as saídas de dados para cada uma das seguintes condições de entrada. a) [A] = 1011; CS = 1 b) [A] = 0111; CS = 0 RESPOSTA: a) alta impedância. b) 11101101. 4) Uma determinada ROM tem uma capacidade de 16K X 4 e uma estrutura interna semelhante àquela mostrada na Figura 2.6. a) Quantos registradores há na matriz? b) Quantos bits há em cada registrador? c) Qual é a especificação dos decodificadores de que ela necessita? RESPOSTA: a) 16.384. b) quatro. c) Dois decodificadores 1 de 128. 5) A Figura 2.26, mostra como os dados de uma ROM podem ser transferidos para um registrador externo. Essa ROM tem os seguintes parâmetros de temporização: tACC = 250ns e tOE = 120ns. Suponha que novas entradas de endereço foram aplicadas na ROM 500ns antes de ocorrer o pulso TRANSFER. Determine a duração mínima do pulso TRANSFER para a realização de uma transferência de dados confiável. RESPOSTA: 120ns. 6) Altere as conexões da MROM mostrada na Figura 2.8 de modo que ela armazene a função y = 3x + 5. RESPOSTA: Os transistores Q0, Q2, Q5, Q6, Q7, Q9 e Q15 terão o terminal fonte desconectados. a) Quanto tempo depois que as linhas de endereço estabilizam aparecem dados válidos na saída durante um ciclo de leitura? RESPOSTA: 100ns. b) Quanto tempo os dados de saída permanecem válidos após CS retornar para nível ALTO? RESPOSTA: 30ns. c) Quantas operações de leitura por segundo podem ser realizadas? RESPOSTA: 10milhões. d) Durante quanto tempo as entradas R /W e CS deveriam ser mantidas em nível ALTO após a Estabilização de um novo endereço em um ciclo de escrita? RESPOSTA: 20ns. e) Qual é o tempo mínimo que a entrada de dados tem de permanecer com dados válidos para que ocorra uma operação de escrita segura? RESPOSTA: 30ns. f) Durante quanto tempo as entradas de endereço têm de ser mantidas estáveis após R /W e CS Retornarem para nível ALTO? RESPOSTA: 40ns. g) Quantas operações de escrita por segundo podem ser realizadas? RESPOSTA: 10milhões. 8) Estude o diagrama em bloco funcional da DRAM TMS44100 mostrado na Figura 2.21. a) Quais são as dimensões (linhas X colunas ) reais da matriz de célula da DRAM? b) Se a matriz de células fosse realmente quadrada, quantas linhas teria? c) Em que isso afetaria o tempo de refresh? Resposta: a) 4.096 colunas, 1.024 linhas. b) 2.048. c) Deveria sobrar.
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