Semana_12_ Questões calculadas

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17/05/2021 Semana_12: Questões calculadas
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Iniciado em Friday, 30 Apr 2021, 18:02
Estado Finalizada
Concluída em Friday, 30 Apr 2021, 18:32
Tempo empregado 29 minutos 42 segundos
Notas 4,90/5,00
Avaliar 9,80 de um máximo de 10,00(98%)
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17/05/2021 Semana_12: Questões calculadas
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Questão 1
Correto
Atingiu 1,00 de
1,00
Questão 2
Correto
Atingiu 1,00 de
1,00
Questão 3
Correto
Atingiu 1,00 de
1,00
Qual é a probabilidade que um estado 0,029 eV acima da energia de Fermi esteja ocupado a uma temperatura de T = 350 K? 
 Expresse a sua resposta em percentual, com duas casas decimais.
k = 1,38 x 10 J/K = 8,62 x 10 eV/K (Constante de Boltzmann)
Resposta:
A resposta correta é: 27,66.
Para qual temperatura a probabilidade que um estado 0,046 eV acima da energia de Fermi terá uma probabilidade de 8 % de estar
ocupado? Expresse o resultado em Kelvin com uma casa decimal.
k = 1,38 x 10 J/K = 8,62 x 10 eV/K (Constante de Boltzmann)
Resposta:
A resposta correta é: 218,5.
Em um semicondutor intrínseco a largura de sua banda proibida (lacuna de energia entre a banda de valência e de condução) é igual
a 0,79 eV. Qual a probabilidade que haja um elétron ocupando um nível com a energia mais baixa na banda de condução na
temperatura de 305 K? Expresse a sua resposta em múltiplo de 10 %, com duas casas decimais.
Resposta:
A resposta correta é: 29,86.
B
-23 -5
B
-23 -5
-6
17/05/2021 Semana_12: Questões calculadas
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Questão 4
Correto
Atingiu 1,00 de
1,00
Questão 5
Correto
Atingiu 0,90 de
1,00
Em um semicondutor intrínseco a largura de sua banda proibida (lacuna de energia entre a banda de valência e de condução) é igual
a 0,63 eV. Qual a probabilidade que haja uma lacuna no topo da banda de valência na temperatura de 323 K? Expresse a sua
resposta em múltiplo de 10 %, com duas casas decimais.
Resposta:
A resposta correta é: 1220,57.
Quando um semicondutor é dopado com impureza formada por átomos doadores de elétrons (com valência maior que 4) é criado um
nível de energia um pouco abaixo da banda de condução, o qual fornecerá elétrons para a banda de condução, gerando um
semicondutor tipo n. Quando um semicondutor é dopado com uma impureza formada por átomos receptores de elétrons (com
valência menor que 4) é criado um nível de energia logo acima da banda de valência, capturando elétrons da banda de valência,
deixando ali lacunas que se comportam como cargas positivas, gerando um semicondutor tipo p. Nos semicondutores puros o nível
de Fermi está aproximadamente a meia altura entre o topo a banda de valência e o fundo da bandas de condução. Em ambos os
casos de dopagem o nível de Fermi é deslocado para algum valor próximo a este nível de energia que foi introduzido pela impureza.
Considere um semicondutor, com uma distância de 0,79 eV entre a extremidade superior da banda de valência e a extremidade
inferior da banda de condução (largura da banda proibida). Suponha que este semicondutor seja dopado com átomos doadores que
introduzem um estado 0,081 eV abaixo da banda de condução. Suponha ainda que a dopagem mude a posição do nível de Fermi
para 0,116 eV abaixo da banda de condução. Determine a probabilidade de que um estado na parte inferior da banda de condução
esteja ocupado depois da dopagem em uma temperatura de 319 K. Expresse sua resposta como percentagem com duas casas
decimais.
Resposta:
A resposta correta é: 1,45.
-6