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Conteúdo do exercício Ocultar opções de resposta Avaliação On-Line 2 (AOL 2) - Questionário Pergunta 1 -- /1 Os IGBTs assimétricos têm a capacidade de bloquear apenas a tensão direta, enquanto os IGBTs simétricos bloqueiam a tensão direta e a tensão reversa. Assinale a alternativa correta acerca dos IGBTs assimétricos: Resposta corretaSão integrados junto com um diodo. Possuem altas perdas por condução. Possuem borda de descida mais lenta. São mais termicamente estáveis. São aplicados em conversores com entrada CA. 10/10 Nota final Enviado: 02/03/22 00:02 (BRT) Ocultar opções de resposta Ocultar opções de resposta Pergunta 2 -- /1 O IGBT é um dispositivo híbrido que possui características do TJB e do MOSFET e é amplamente utilizado em inversores de frequência. Quantos eletrodos há em um IGBT e como eles são chamados? 4 - porta, base, fonte e dreno. 3 - base, fonte e dreno. 2 - base e emissor. 4 - porta, base, emissor e coletor. Resposta correta3 - porta, emissor e coletor. Pergunta 3 -- /1 A frequência de operação do oscilador de relaxação com TUJ pode ser ajustada alterando-se o valor do resistor conectado ao emissor do TUJ. Então, o período desse oscilador é definido como: o tempo de descarga do capacitor. o tempo de carga menos o tempo de descarga do capacitor. o tempo de carga do capacitor. a razão entre o tempo de descarga e o tempo de carga do capacitor. Resposta corretao tempo de carga mais o tempo de descarga do capacitor. Ocultar opções de resposta Ocultar opções de resposta Pergunta 4 -- /1 O TJB é um dispositivo semicondutor composto, principalmente, por silício e bastante empregado em operações de chaveamento. Como são chamados os três terminais do TJB? Fonte, porta e coletor. Fonte, base e dreno. Ânodo, porta e cátodo. Emissor, base e dreno. Resposta corretaEmissor, base e coletor. Pergunta 5 -- /1 Conhecer a simbologia dos elementos elétricos e eletrônica facilita o projeto, a leitura e a interpretação de circuitos. Qual dos terminais do TJB é representado por uma seta em seu símbolo? Base. Cátodo. Ânodo. Resposta corretaEmissor. Coletor. Ocultar opções de resposta Ocultar opções de resposta Pergunta 6 -- /1 O DIAC é um dispositivo que apresenta uma região de impedância negativa sob determinas condições de operação. Seu comportamento é simétrico, porém parecido com a característica de outro dispositivo semicondutor. Marque a alternativa com o nome de tal dispositivo: Resposta corretaDiodo zener. Diodo retificador. Diodo túnel. Diodo gunn. Diodo schottky. Pergunta 7 -- /1 O TJB foi o primeiro transistor a ser criado, porém, o MOSFET é o transistor mais largamente utilizado atualmente. Assinale a alternativa incorreta quanto às vantagens do MOSFETs de potência em relação aos TJBs de potência: Consomem pouca energia no controle. Baixa resistência no estado ligado. Resposta corretaDispensam diodos de proteção. Circuito de excitação mais simples. Coeficiente de temperatura negativo. Ocultar opções de resposta Ocultar opções de resposta Pergunta 8 -- /1 O TUP é um dispositivo da família dos tiristores destinado ao disparo de SCRs e TRIACs. Qual alternativa indica o ponto em que o TUP entra na região de impedância negativa - onde operam os osciladores de relaxação? Tensão direta. Resposta corretaTensão de pico. Tensão de reversa. Tensão de ruptura. Tensão de vale. Pergunta 9 -- /1 Osciladores de relaxação podem ser implementados tanto com TUJs como com TUPs. Por causa do capacitor presente nesses circuitos, o sinal tipicamente observado na saída desses osciladores é uma onda da forma: Quadrada. Pulsada. Resposta corretaDente de serra. Triangular. Ocultar opções de resposta Senoidal. Pergunta 10 -- /1 Embora TJBs e MOSFETs tenham semelhanças entre si, também têm muitas diferenças, como a impedância de entrada. Por que a impedância porta-fonte do MOSFET é considerada infinita? Porque o MOSFET é controlado por tensão. Porque a fabricação do MOSFET resulta em um diodo parasita. Porque o MOSFET tem altas velocidades de comutação. Porque o MOSFET é pouco sensível à temperatura. Porque a porta do MOSFET é isolada por uma camada de óxido metálico.
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