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CURSO SUPERIOR DE TECNOLOGIA EM MECÂNICA DE PRECISÃO Disciplina: Eletrônica I Prof. Leonardo Frois Aluno: Guilherme Lopes de Carvalho, 20101871 1ª Lista de Exercícios – Diodos e seus modelos para cálculo 1) Utilizando o Modelo Equivalente Linear e o Modelo Linear Simplificado, obtenha a corrente nos componentes. Dados gerais: VtSi = 0,7 V; VtGe = 0,3 V a) Dados: diodos de Si; RAV1 = RAV2 = 4 Ω Simplificado: 𝐼 = 𝑉𝑓 − VtSi 𝑅 𝐼 = 10 − 0,7 1200 = 𝟕, 𝟕𝟓 𝒎𝑨 Equivalente Linear: 𝐼 = 𝑉𝑓 − VtSi 𝑅 + 𝑅𝐴𝑉 𝐼 = 10 − 0,7 1200 + 4 = 𝟕, 𝟕𝟐 𝒎𝑨 Resp. Modelo Equivalente Linear: I = 7,72 mA Resp. Modelo Linear Simplificado: I = 7,75 mA b) Dados: RAVSi = 4,5 Ω; RAVGe = 3,8 Ω Simplificado: 𝐼 = 𝑉𝑓 − (VtSi + VtGe) 𝑅 𝐼 = 12 − (0,7 + 0,3) 2700 = 𝟒, 𝟎𝟕 𝒎𝑨 Equivalente Linear: 𝐼 = 𝑉𝑓 − (VtSi + VtGe) 𝑅 + RAVSi + RAVGe 𝐼 = 12 − (0,7 + 0,3) 2700 + 4,5 + 3,8 = 𝟒, 𝟎𝟔 𝒎𝑨 Resp. Modelo Equivalente Linear: I = 4,06 mA Resp. Modelo Linear Simplificado: I = 4,07 mA c) Dados: RAV1 = RAV2 = 6,2 Ω Simplificado: 𝐼 = 𝑉𝑓 − VtSi − 𝑉𝑓 ′ 𝑅 𝐼 = 12 − 0,7 − 5 5600 = 𝟏, 𝟏𝟑 𝒎𝑨 Equivalente Linear: 𝐼 = 𝑉𝑓 − VtSi − 𝑉𝑓 ′ 𝑅 + RAVSi 𝐼 = 12 − 0,7 − 5 5600 + 6,2 = 𝟏, 𝟏𝟐 𝒎𝑨 Resp. Modelo Equivalente Linear: I = 1,12 mA Resp. Modelo Linear Simplificado: I = 1,13 mA d) Dados: RAVSi = 4 Ω; RAVGe = 3 Ω Simplificado: 𝑉 = 𝑅 ∗ 𝐼𝑑 𝑉 = 5600 ∗ 0 = 𝟎 𝑽 Equivalente Linear: 𝑉 = RAVGe ∗ 𝐼𝑑 𝑉 = 3 ∗ 0 = 𝟎 𝑽 Resp. Modelo Equivalente Linear: 0 V Resp. Modelo Linear Simplificado: 0 V e) Dados: Diodos de Silício: RAV1 = 2,7Ω; RAV2 = 6,1 Ω Simplificado: 𝐼𝑡 = 12 − 0,7 390 = 29 𝑚𝐴 𝐼1 = 𝐼2 = 29 2 = 𝟏𝟒, 𝟓 𝒎𝑨 𝑉𝑑1 = 𝑉𝑑2 = 𝟎, 𝟕 𝑽 Equivalente Linear: 𝐼𝑡 = 12 − 0,7 390 + 1,87 = 28,83 𝑚𝐴 𝑉𝑑 = 28,83𝑚𝐴 ∗ 1,87 = 0,0539 𝑉 𝐼1 = 0,0539 2,7 = 𝟏𝟗, 𝟗𝟗 𝒎𝑨 𝐼2 = 0,0539 6,1 = 𝟖, 𝟖𝟒𝟕 𝒎𝑨 𝑉 = 0,0539 + 0,7 = 𝟎, 𝟕𝟓𝟒 𝑽 Resp. Modelo Equivalente Linear: I1 = 19,99mA, I2 = 8,847 mA e V = 0,754V Resp. Modelo Linear Simplificado: I1=I2=14,5mA e V=0,7V. 2) Utilizando apenas o Modelo Linear Simplificado, obtenha a corrente nos componentes. Dados gerais: Diodos de Silício: VtSi = 0,7V a) 𝐼𝑡 = 𝑉𝑓 − (2 ∗ VtSi) 𝑅 𝐼𝑡 = 20 − (2 ∗ 0,7) 3900 = 𝟒, 𝟕𝟕 𝒎𝑨 𝐼2 = VtSi 𝑅′ 𝐼2 = 0,7 2700 = 𝟐𝟓𝟗, 𝟐𝟓 𝑨 𝐼1 = 𝐼𝑡 − 𝐼2 𝐼1 = 4,77 𝑚𝐴 − 259,25 𝐴 = 𝟒, 𝟓𝟏 𝒎𝑨 Resp: IT=4,77mA, I1=4,51mA e I2= 259 μA b) 220 ∗ 𝐼3 − 0,7 = 220 ∗ 𝐼2 𝐼3 + 3,182 ∗ 10 −3 = 𝐼2 𝐼3 = 𝐼1 − 𝐼2 (𝐼1 − 𝐼2) + 3,182 ∗ 10 −3 = 𝐼2 𝐼1 2 + 1,591 ∗ 10−3 = 𝐼2 560 ∗ 𝐼1 + 220 ∗ 𝐼2 = 12 560 ∗ 𝐼1 + 220 ∗ ( 𝐼1 2 + 1,591 ∗ 10−3) = 12 𝐼1 = 11,65 670 = 17,39 𝑚𝐴 𝐼2 = 17,39 𝑚𝐴 2 + 1,591 ∗ 10−3 = 10,29 𝑚𝐴 𝐼3 = 17,39 𝑚𝐴 − 10,29 𝑚𝐴 = 7,1 𝑚𝐴 𝑉𝑅𝑛 = 𝑅 ∗ 𝐼𝑛 𝑉𝑅1 = 560 ∗ 17,39 𝑚𝐴 = 𝟗, 𝟕𝟓 𝑽 𝑉𝑅2 = 220 ∗ 10,29 𝑚𝐴 = 𝟐, 𝟐𝟕 𝑽 𝑉𝑅3 = 220 ∗ 7,1 𝑚𝐴 = 𝟏, 𝟓𝟕 𝑽 Resp: VR1=9,75 V, VR2=2,27 V, VR3=1,57V
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