LB3 - Chaveamento Indutor e Diodo (1)

Prévia do material em texto

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ
ENGENHARIA ELÉTRICA - CAMPUS SOBRAL
Eletrônica de Potência I
PRATICA IV
CARACTERÍSTICA DA INDUTÂNCIA E 
CHAVEAMENTO DO DIODO DE POTÊNCIA
ROTEIRO
1. Considere o circuito de comando mostrado figura 1. Identifique o resistor e capacitor do circuito do circuito oscilador e calcule a freqüência de operação esperada. Faça a conexão dos componentes do circuito de potência, mas não conecte ainda o diodo D1.
2. Ainda sem fonte de potência (Va = 0), teste somente o circuito de comando, verificando o sinal no gate do MOSFET. Desligue o circuito de comando.
3. Ajuste Va (fonte ajustável) para 3 V. Em seguida, ligue o circuito de comando. Observe a forma de onda entre os terminais Dreno e Source do MOSFET. Com apenas esta tensão de 3 V, qual o valor de pico de tensão gerado pelo indutor ? Justifique o comportamento da forma de tensão obtida.
ATENÇÂO: Não toque em nenhuma parte do circuito de potência, pois neste experimento pode surgir tensão elevada. Lembre-se: a carcaça do MOSFET está conectada ao terminal de dreno.
4. Conecte um diodo (D1) 1N4007, conforme indicado na figura 1. Observe e registre as formas de onda de tensão e corrente no indutor (observe o nível CC da corrente). Observe e registre as formas de onda de tensão e corrente no diodo. Meça o tempo de recuperação reversa. 
5. Repita o item 4, usando o diodo Schottky 1N5819. Existe recuperação reversa neste diodo ?
Figura 1 - Circuito de teste.
RELATÓRIO
a. Justifique os picos de tensão obtidos no item 3 do experimento. Quais possíveis fatores limitam o pico de tensão gerados pelo indutor ?
b. Comente detalhadamente as formas de onda (corrente e tensão sobre o indutor, corrente e tensão sobre o diodo) observadas nos itens 4 e 5 do experimento. Mostre claramente o intervalo de recuperação reversa dos diodos (quando aplicável). 
c. Justifique a diferença entre os níveis CC das formas de onda de corrente no indutor nos itens 4 e 5.
d. Qual a queda de tensão direta sobre os diodo 1N4007 e 1N5819 ? Justifique a diferença.
1
2
3
4
8
7
6
5
SG3525
+12
(15 a 25 V)
16
15
14
13
9
10
11
12
10k
Rx
FONTE
+
10n
220n
1
2
7812
3
1
C
1.000uF
220nF
25 V
100nF
10uF
25 V
2
C
3
C
C
+12V
_
R1
C1
D
G
Ry
Cf
4
Freq = 
0,7.C1.R1
1
22R
IRF740
1.000uF
25 V
Va = 3 V
FONTE
+
_
S
D1
L1
CIRCUITO DE COMANDO
PRINCIPAL
AUXILIAR