Microeletronica - Semana 6 - Nota 10

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1 ptsPergunta 1
Nos processos utilizados na fabricação de circuitos integrados (CIs), vimos que o óxido de
silício pode ser crescido a partir da lâmina de silício, sendo que esta pode ser
dopada por difusão ou implantação iônica. Também vimos que é possível
depositar uma camada dielétrica sobre a lâmina de silício através de um processo como
o CVD.
1 ptsPergunta 2
Silício amorfo
Ouro
Nitreto de silício
Silício monocristalino
Silício policristalino
Vimos que vários materiais podem ser depositados sobre a superfície de silício. Em particular,
o processo de deposição CVD permite depositar dielétricos, condutores e semicondutores,
mas existe um tipo de material que não pode ser depositado por meio desse processo. Este
material é:
1 ptsPergunta 3
O processo de epitaxia permite o crescimento ordenado sobre a superfície do silício
monocristalino. Analise as afirmações abaixo.
Pode-se crescer o mesmo material sobre o substrato, caso em que o processo é
chamado de homoepitaxia.
I.
Pode-se crescer um material distinto sobre o substrato, caso em que o processo é
chamado de heteroepitaxia.
II.
O processo de epitaxia pode ser feito em reatores CVD ou em reatores BEM (epitaxia
por feixe molecular).
III.
Nos processos de epitaxia, o substrato funciona como uma semente, ou seja, a
camada depositada não acompanha a estrutura cristalina da lâmina.
IV.
Apenas I, II e III estão corretas.
Apenas I está correta.
Apenas I, II, III e IV estão corretas.
Apenas I e II estão corretas.
I, II, III, IV e V estão corretas.
Embora muito eficiente, o processo de epitaxia não permite que a camada depositada
tenha um nível de dopagem.
V.
Assinale a alternativa correta:
1 ptsPergunta 4
Apenas II, IV e V estão corretas.
Apenas I, III e V estão corretas.
Apenas II, III e IV estão corretas.
Apenas III, IV e V estão corretas.
Apenas I e II estão corretas.
Referindo-se ao comportamento da concentração de dopantes obtidas por epitaxia quando se
utiliza diborano (B H ), arsina (AsH ) e fosfina (PH ), analise as afirmações abaixo:2 6 3 3
Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano, a concentração de dopantes
aumenta com a temperatura de crescimento e, com fosfina e arsina, a concentração
de dopantes diminui com a temperatura.
I.
Quando se utiliza processos epitaxiais com fosfina, a concentração de dopantes
aumenta com a temperatura de crescimento e, com diborano e arsina, a concentração
de dopantes diminui com a temperatura.
II.
Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com arsina, a concentração de
dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de
crescimento de aproximadamente 1100 C.
III.
o
Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com fosfina, a concentração de
dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de
crescimento de aproximadamente 1100 C.
IV.
o
Quando se utiliza processos epitaxiais em torno de 1300 C de temperatura de
crescimento, a concentração de dopantes obtida, empregando-se diborano, é cerca de
10 vezes maior que aquela obtida com arsina.
V. o
Assinale a alternativa correta:
1 ptsPergunta 5
As camadas de interconexão elétricas são feitas com metais e silício policristalino enquanto
os contatos entre as camadas de metalização e as regiões do silício monocrisatlino são
feitos empregando-se silicetos .
1 ptsPergunta 6
A deposição por processo químico é conhecida como Deposição por Vapor Físico (PVD) e a deposição por
processo físico é conhecida como Deposição por Vapor Químico (CVD), sendo que preferencialmente o CVD
emprega fontes líquidas e o PVD emprega fontes sólidas.
A deposição por processo químico é conhecida como Deposição por Vapor Químico (CVD) e a deposição por
processo físico é conhecida como Deposição por Vapor Físico (PVD), sendo que preferencialmente o CVD emprega
fontes sólidas e o PVD emprega fontes gasosas.
A deposição por processo químico é conhecida como Deposição por Vapor Químico (CVD) e a deposição por
processo físico é conhecida como Deposição por Vapor Físico (PVD), sendo que preferencialmente o CVD emprega
fontes líquidas e o PVD emprega fontes sólidas.
A deposição por processo químico é conhecida como Deposição por Vapor Físico (PVD) e a deposição por
processo físico é conhecida como Deposição por Vapor Químico (CVD), sendo que preferencialmente o CVD
emprega fontes gasosas e o PVD emprega fontes sólidas.
A deposição por processo químico é conhecida como Deposição por Vapor Químico (CVD) e a deposição por
processo físico é conhecida como Deposição por Vapor Físico (PVD), sendo que preferencialmente o CVD emprega
fontes gasosas e o PVD emprega fontes sólidas.
A deposição pode ser feita por processo químico ou por processo físico. Assinale a única
alternativa correta:
1 ptsPergunta 7
Um evaporador térmico opera a 980 C, sendo que se deseja evaporar termicamente Alumínio
(que tem massa molar M = 27g) a uma pressão de vapor de 10 Torr. Nessas condições, qual
a taxa de evaporação (R) do alumínio?
o
-4
1 ptsPergunta 8
A deposição pode ser feita tanto por CVD como por PVD. No caso de processos PVD, temos a
evaporação térmica como sendo uma alternativa interessante. Ela assume duas formas
principais, aquela que realiza o aquecimento da amostra por meio de filamento e aquela que o
realiza por meio de feixe de elétrons . As principais vantagens desta última são relativas ao
baixíssimo grau de contaminação obtido devido ao aquecimento e ao fato de poder
trabalhar com qualquer material, sendo função apenas da potência do feixe de
elétrons.
1 ptsPergunta 9
O processo de borrifamento (sputtering) é obtido em uma câmara onde se injeta ao menos um gás, cria-se um
plasma através da ionização desse gás e arranca-se o material da fonte sólida por meio de bombardeamento de
elétrons, que se deposita sobre o material de interesse.
O processo de borrifamento (sputtering) é obtido em uma câmara onde se injeta ao menos um gás, cria-se um
plasma CVD através da ionização desse gás, que se deposita sobre o material de interesse.
O processo de borrifamento (sputtering) é obtido em uma câmara onde se cria um feixe de elétrons a partir de ao
menos um gás, cria-se um plasma através da ionização desse gás e arranca-se o material da fonte sólida por meio
de bombardeamento iônico, que se deposita sobre o material de interesse.
O processo de borrifamento (sputtering) é obtido em uma câmara onde se injeta um líquido, cria-se um plasma
através da ionização e arranca-se o material da fonte sólida por meio de bombardeamento iônico, que se deposita
sobre o material de interesse.
O processo de borrifamento (sputtering) é obtido em uma câmara onde se injeta ao menos um gás, cria-se um
plasma através da ionização desse gás e arranca-se o material da fonte sólida por meio de bombardeamento
iônico, que se deposita sobre o material de interesse.
Os processos de deposição física podem ser divididos em duas categorias, aqueles que
dependem do aquecimento da fonte sólida de material e aqueles que dependem do
bombardeamento da superfície da fonte sólida de material. Quanto a este último é correto
afirmar que:
Salvo em 13:16 
1 ptsPergunta 10
Melhor que as condutividades do alumínio e do silício policristalino.
Melhor que a condutividade do alumínio, mas pior que a condutividade do silício policristalino.
Pior que a condutividade do alumínio, mas melhor que a condutividade do silício policristalino.
Pior que as condutividades do alumínio e do silício policristalino.
Pior que a condutividade do alumínio e aproximadamente igual à condutividade do silício policristalino.
A resistividade do alumínio é da ordem de e a do silício policristalino
dopado é da ordem de 10 miliohm.cm. Segundo os dados apresentados em aula, a
condutividade da maioria dos silicetos pode ser considerada:
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