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O transistor bipolar de junção, popularmente conhecido como TBJ, é um dos principais tipos de transistores.
Sobre esses transistores, assinale a alternativa correta:
1. Na polarização de um TBJ, devemos utilizar uma fonte de tensão, alternada na base e outra contínua no coletor.
2. Ao polarizar as junções, notamos um fluxo de elétrons para a base.
3. Em um transistor do tipo PNP a corrente circulará do coletor para o emissor.
4. Em um transistor NPN a corrente circula do coletor para o emissor.
5. Quando não polarizado, um transistor NPN equivale a dois diodos associados.

Os JFETs possuem algumas vantagens consideráveis para determinadas aplicações, com relação aos TBJs, é a alta impedância de entrada.
Assinale a alternativa correta:
1. A tensão de estrangulamento (VGS) corresponde ao início da região ativa do JFET.
2. Temos uma queda de tensão de cerca de 1,4 V em um JFET, entre a porta e o dreno.
3. A fonte é o terminal de entrada do efeito de campo.
4. A corrente máxima de um JFET ocorrerá quando for conectada a porta ao dreno.
5. A corrente IDSS corresponde à corrente mínima no dreno.

Ainda se tratando de um transistor bipolar de junção, nota-se que este dispositivo possuirá três terminais: o emissor, a base e o coletor.
Sobre esses dispositivos, assinale a alternativa correta:
1. A corrente no emissor é igual à soma do coletor e da base.
2. A relação de ganho de corrente estabelece a relação entre a corrente no coletor e no emissor.
3. A conexão emissor-base é a mais utilizada para a polarização desse tipo de dispositivo.
4. Como a corrente no coletor é baixa, é válido dizer que a corrente na base é aproximadamente igual à corrente no emissor, na prática.
5. O parâmetro alfa de corrente contínua é geralmente de 0,8 para um transistor do tipo TBJ.

O JFET é um transistor de junção de efeito de campo, do tipo unipolar.
Sobre estes dispositivos, assinale a alternativa correta das características construtivas destes:
1. Um transistor JFET possui dois terminais: a porta e o dreno.
2. O JFET é feito de um material do tipo n, com regiões na porta e do outro lado do tipo p.
3. Para a polarização reversa do JFET, utilizamos uma fonte de tensão no dreno.
4. Na polarização normal do JFET fica estabelecido o uso de uma fonte de tensão CA na porta.
5. O efeito de campo está relacionado às junções estabelecidas nestes transistores, de três tipos de semicondutores.

Da mesma forma que os outros transistores, um nMOS ou um pMOS pode ser polarizado por meio de ligações específicas, para que ele opere em duas regiões distintas.
Assim, sobre a polarização desses transistores, assinale a alternativa correta:
1. A tensão de saída do nMOS será semelhante a tensão de entrada, porém com 1/3 da amplitude.
2. Na polarização normal de um nMOS, objetiva-se polarizar o dispositivo para que ele opere na região ativa.
3. Os MOSFETs nMOS e pMOS são polarizados para uso na região ôhmica de operação.
4. Deve-se utilizar uma fonte CA para ligação na porta de um nMOS de forma a polarizá-lo diretamente.
5. As fontes CC são utilizadas para ligar um transistor pMOS na região ativa para polarização normal típica.

Com a porta do JFET em curto na polarização, observa-se a região ativa do dispositivo.
Sobre a polarização do JFET, analise e assinale a alternativa correta.
1. O valor máximo da tensão entre o dreno e a fonte corresponde à corrente mínima no dreno.
2. A tensão de corte é igual à contribuição do resistor de junção mais a tensão no coletor.
3. Na região ôhmica, o JFET pode ser aproximado como um diodo bipolar.
4. A partir da tensão máxima entre o dreno e a fonte, a corrente no dreno tende a diminuir.
5. Quando a tensão entre o dreno e a fonte atinge seu valor, máximo temos o final da região ativa.

Um transistor MOSFET utiliza o efeito de campo e o óxido semicondutor e metal. Entre eles, se destacam os transistores nMOS e o pMOS.
Assinale a alternativa correta.
1. Um nMOS é constituído de material do tipo n.
2. Fazem parte de um pMOS três terminais: a fonte, o dreno e a porta.
3. O substrato é um terminal presente nos transistores nMOS.
4. O MOSFET-E poderá ter o canal n ou do tipo p.
5. Um dos principais usos dos MOSFETs é a amplificação sonora.

Um transistor é um dos tipos de componentes eletrônicos mais utilizados atualmente e possibilitou enormes avanços no desenvolvimento de equipamentos e circuitos.
Entre as características citadas, assinale a alternativa correta:
1. São dispositivos semicondutores feitos a partir de combinações de materiais do tipo p e n.
2. Foram criados na década de 80 e revolucionaram a indústria.
3. São utilizados principalmente para a redução da tensão nos circuitos eletrônicos.
4. Podem ser de dois tipos principais: bipolares e unipolares de junção.
5. A maior parte é feita a partir de germânio dopado.

Estudar a relação de tensão e corrente no transistor é importante não só para compreender como conectar o dispositivo mas também no projeto de boa parte dos circuitos eletrônicos.
Ainda sobre os TBJs e a relação de tensão e corrente destes, assinale a alternativa correta:
1. A partir de 0,7 V, observamos um aumento exponencial da corrente na base para um aumento menor da tensão entre o emissor e a base.
2. A tensão emissor-coletor é dada pela corrente no coletor e pela resistência usada para polarizá-lo.
3. O joelho da curva de tensão e corrente na base retratam a corrente de saturação da base do TBJ.
4. A potência dissipada pode ser calculada pela tensão entre o emissor, a base e a corrente no coletor.
5. A relação entre a tensão e a corrente no coletor demonstra as duas regiões distintas de operação do TBJ: a saturação e a região ativa.

Comparando-se tensão e corrente no dreno é possível observar algumas relações importantes em um transistor nMOS ou pMOS.
Assim, assinale a alternativa correta:
1. Cerca de 0,7 V são suficientes, em média, para que o dreno conduza a corrente.
2. A tensão entre o dreno e a fonte tende a aumentar junto com a corrente no dreno até um determinado valor, quando a tensão limiar é superada.
3. Se utilizado como amplificador, o nMOS tende a ter um aumento da corrente de saturação no dreno.
4. A corrente na fonte permanece constante com o aumento na corrente do dreno.
5. Para valores de tensão entre a porta e a fonte a corrente no dreno aumenta de maneira mais intensa.

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Questões resolvidas

O transistor bipolar de junção, popularmente conhecido como TBJ, é um dos principais tipos de transistores.
Sobre esses transistores, assinale a alternativa correta:
1. Na polarização de um TBJ, devemos utilizar uma fonte de tensão, alternada na base e outra contínua no coletor.
2. Ao polarizar as junções, notamos um fluxo de elétrons para a base.
3. Em um transistor do tipo PNP a corrente circulará do coletor para o emissor.
4. Em um transistor NPN a corrente circula do coletor para o emissor.
5. Quando não polarizado, um transistor NPN equivale a dois diodos associados.

Os JFETs possuem algumas vantagens consideráveis para determinadas aplicações, com relação aos TBJs, é a alta impedância de entrada.
Assinale a alternativa correta:
1. A tensão de estrangulamento (VGS) corresponde ao início da região ativa do JFET.
2. Temos uma queda de tensão de cerca de 1,4 V em um JFET, entre a porta e o dreno.
3. A fonte é o terminal de entrada do efeito de campo.
4. A corrente máxima de um JFET ocorrerá quando for conectada a porta ao dreno.
5. A corrente IDSS corresponde à corrente mínima no dreno.

Ainda se tratando de um transistor bipolar de junção, nota-se que este dispositivo possuirá três terminais: o emissor, a base e o coletor.
Sobre esses dispositivos, assinale a alternativa correta:
1. A corrente no emissor é igual à soma do coletor e da base.
2. A relação de ganho de corrente estabelece a relação entre a corrente no coletor e no emissor.
3. A conexão emissor-base é a mais utilizada para a polarização desse tipo de dispositivo.
4. Como a corrente no coletor é baixa, é válido dizer que a corrente na base é aproximadamente igual à corrente no emissor, na prática.
5. O parâmetro alfa de corrente contínua é geralmente de 0,8 para um transistor do tipo TBJ.

O JFET é um transistor de junção de efeito de campo, do tipo unipolar.
Sobre estes dispositivos, assinale a alternativa correta das características construtivas destes:
1. Um transistor JFET possui dois terminais: a porta e o dreno.
2. O JFET é feito de um material do tipo n, com regiões na porta e do outro lado do tipo p.
3. Para a polarização reversa do JFET, utilizamos uma fonte de tensão no dreno.
4. Na polarização normal do JFET fica estabelecido o uso de uma fonte de tensão CA na porta.
5. O efeito de campo está relacionado às junções estabelecidas nestes transistores, de três tipos de semicondutores.

Da mesma forma que os outros transistores, um nMOS ou um pMOS pode ser polarizado por meio de ligações específicas, para que ele opere em duas regiões distintas.
Assim, sobre a polarização desses transistores, assinale a alternativa correta:
1. A tensão de saída do nMOS será semelhante a tensão de entrada, porém com 1/3 da amplitude.
2. Na polarização normal de um nMOS, objetiva-se polarizar o dispositivo para que ele opere na região ativa.
3. Os MOSFETs nMOS e pMOS são polarizados para uso na região ôhmica de operação.
4. Deve-se utilizar uma fonte CA para ligação na porta de um nMOS de forma a polarizá-lo diretamente.
5. As fontes CC são utilizadas para ligar um transistor pMOS na região ativa para polarização normal típica.

Com a porta do JFET em curto na polarização, observa-se a região ativa do dispositivo.
Sobre a polarização do JFET, analise e assinale a alternativa correta.
1. O valor máximo da tensão entre o dreno e a fonte corresponde à corrente mínima no dreno.
2. A tensão de corte é igual à contribuição do resistor de junção mais a tensão no coletor.
3. Na região ôhmica, o JFET pode ser aproximado como um diodo bipolar.
4. A partir da tensão máxima entre o dreno e a fonte, a corrente no dreno tende a diminuir.
5. Quando a tensão entre o dreno e a fonte atinge seu valor, máximo temos o final da região ativa.

Um transistor MOSFET utiliza o efeito de campo e o óxido semicondutor e metal. Entre eles, se destacam os transistores nMOS e o pMOS.
Assinale a alternativa correta.
1. Um nMOS é constituído de material do tipo n.
2. Fazem parte de um pMOS três terminais: a fonte, o dreno e a porta.
3. O substrato é um terminal presente nos transistores nMOS.
4. O MOSFET-E poderá ter o canal n ou do tipo p.
5. Um dos principais usos dos MOSFETs é a amplificação sonora.

Um transistor é um dos tipos de componentes eletrônicos mais utilizados atualmente e possibilitou enormes avanços no desenvolvimento de equipamentos e circuitos.
Entre as características citadas, assinale a alternativa correta:
1. São dispositivos semicondutores feitos a partir de combinações de materiais do tipo p e n.
2. Foram criados na década de 80 e revolucionaram a indústria.
3. São utilizados principalmente para a redução da tensão nos circuitos eletrônicos.
4. Podem ser de dois tipos principais: bipolares e unipolares de junção.
5. A maior parte é feita a partir de germânio dopado.

Estudar a relação de tensão e corrente no transistor é importante não só para compreender como conectar o dispositivo mas também no projeto de boa parte dos circuitos eletrônicos.
Ainda sobre os TBJs e a relação de tensão e corrente destes, assinale a alternativa correta:
1. A partir de 0,7 V, observamos um aumento exponencial da corrente na base para um aumento menor da tensão entre o emissor e a base.
2. A tensão emissor-coletor é dada pela corrente no coletor e pela resistência usada para polarizá-lo.
3. O joelho da curva de tensão e corrente na base retratam a corrente de saturação da base do TBJ.
4. A potência dissipada pode ser calculada pela tensão entre o emissor, a base e a corrente no coletor.
5. A relação entre a tensão e a corrente no coletor demonstra as duas regiões distintas de operação do TBJ: a saturação e a região ativa.

Comparando-se tensão e corrente no dreno é possível observar algumas relações importantes em um transistor nMOS ou pMOS.
Assim, assinale a alternativa correta:
1. Cerca de 0,7 V são suficientes, em média, para que o dreno conduza a corrente.
2. A tensão entre o dreno e a fonte tende a aumentar junto com a corrente no dreno até um determinado valor, quando a tensão limiar é superada.
3. Se utilizado como amplificador, o nMOS tende a ter um aumento da corrente de saturação no dreno.
4. A corrente na fonte permanece constante com o aumento na corrente do dreno.
5. Para valores de tensão entre a porta e a fonte a corrente no dreno aumenta de maneira mais intensa.

Prévia do material em texto

1. O	transistor	bipolar	de	junção,	popularmente	conhecido	como	TBJ,	é	um	dos	principais	
tipos	de	transistores.		
Sobre	esses	transistores,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. Quando	não	polarizado,	um	transistor	NPN	equivale	a	dois	diodos	
associados.	
Resposta	correta	
2. Ao	polarizar	as	junções,	notamos	um	fluxo	de	elétrons	para	a	base.	
3. Em	um	transistor	do	tipo	PNP	a	corrente	circulará	do	coletor	para	o	
emissor.	
4. Em	um	transistor	NPN	a	corrente	circula	do	coletor	para	o	emissor.	
5. Na	polarização	de	um	TBJ,	devemos	utilizar	uma	fonte	de	tensão,	
alternada	na	base	e	outra	contínua	no	coletor.	
2. Pergunta 2 
0/0 
Os	JFETs	possuem	algumas	vantagens	consideráveis	para	determinadas	aplicações,	
com	relação	aos	TBJs,	é	a	alta	impedância	de	entrada.		
Assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. A	corrente	IDSS	corresponde	à	corrente	mínima	no	dreno.	
2. A	tensão	de	estrangulamento	(VGS)	corresponde	ao	início	da	região	ativa	
do	JFET.	
3. A	fonte	é	o	terminal	de	entrada	do	efeito	de	campo.	
4. Temos	uma	queda	de	tensão	de	cerca	de	1,4	V	em	um	JFET,	entre	a	porta	
e	o	dreno.	
5. A	corrente	máxima	de	um	JFET	ocorrerá	quando	for	conectada	a	porta	ao	
dreno.	
Resposta	correta	
3. Pergunta 3 
0/0 
Ainda	se	tratando	de	um	transistor	bipolar	de	junção,	nota-se	que	este	dispositivo	
possuirá	três	terminais:	o	emissor,	a	base	e	o	coletor.		
Sobre	esses	dispositivos,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. A	conexão	emissor-base	é	a	mais	utilizada	para	a	polarização	desse	tipo	
de	dispositivo.	
2. A	corrente	no	emissor	é	igual	à	soma	do	coletor	e	da	base.	
Resposta	correta	
3. Como	a	corrente	no	coletor	é	baixa,	é	válido	dizer	que	a	corrente	na	base	
é	aproximadamente	igual	à	corrente	no	emissor,	na	prática.	
4. O	parâmetro	alfa	de	corrente	contínua	é	geralmente	de	0,8	para	um	
transistor	do	tipo	TBJ.	
5. A	relação	de	ganho	de	corrente	estabelece	a	relação	entre	a	corrente	no	
coletor	e	no	emissor.	
4. Pergunta 4 
0/0 
O	JFET	é	um	transistor	de	junção	de	efeito	de	campo,	do	tipo	unipolar.	Sobre	estes	
dispositivos,	assinale	a	alternativa	correta	das	características	construtivas	destes:	
Ocultar opções de resposta 
1. Para	a	polarização	reversa	do	JFET,	utilizamos	uma	fonte	de	tensão	no	
dreno.	
2. Na	polarização	normal	do	JFET	fica	estabelecido	o	uso	de	uma	fonte	de	
tensão	CA	na	porta.	
3. O	JFET	é	feito	de	um	material	do	tipo	n,	com	regiões	na	porta	e	do	outro	
lado	do	tipo	p.	
Resposta	correta	
4. O	efeito	de	campo	está	relacionado	às	junções	estabelecidas	nestes	
transistores,	de	três	tipos	de	semicondutores.	
5. Um	transistor	JFET	possui	dois	terminais:	a	porta	e	o	dreno.	
5. Pergunta 5 
0/0 
Da	mesma	forma	que	os	outros	transistores,	um	nMOS	ou	um	pMOS	pode	ser	
polarizado	por	meio	de	ligações	específicas,	para	que	ele	opere	em	duas	regiões	
distintas.		
Assim,	sobre	a	polarização	desses	transistores,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. As	fontes	CC	são	utilizadas	para	ligar	um	transistor	pMOS	na	região	ativa	
para	polarização	normal	típica.	
2. A	tensão	de	saída	do	nMOS	será	semelhante	a	tensão	de	entrada,	porém	
com	1/3	da	amplitude.	
3. Deve-se	utilizar	uma	fonte	CA	para	ligação	na	porta	de	um	nMOS	de	
forma	a	polarizá-lo	diretamente.	
4. Na	polarização	normal	de	um	nMOS,	objetiva-se	polarizar	o	dispositivo	
para	que	ele	opere	na	região	ativa.	
5. Os	MOSFETs	nMOS	e	pMOS	são	polarizados	para	uso	na	região	ôhmica	de	
operação.	
Resposta	correta	
6. Pergunta 6 
0/0 
Com	a	porta	do	JFET	em	curto	na	polarização,	observa-se	a	região	ativa	do	dispositivo.		
Sobre	a	polarização	do	JFET,	analise	e	assinale	a	alternativa	correta.	
Ocultar opções de resposta 
1. A	tensão	de	corte	é	igual	à	contribuição	do	resistor	de	junção	mais	a	
tensão	no	coletor.	
2. Quando	a	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	atinge	seu	valor,	máximo	temos	
o	final	da	região	ativa.	
Resposta	correta	
3. A	partir	da	tensão	máxima	entre	o	dreno	e	a	fonte,	a	corrente	no	dreno	
tende	a	diminuir.	
4. Na	região	ôhmica,	o	JFET	pode	ser	aproximado	como	um	diodo	bipolar.	
5. O	valor	máximo	da	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	corresponde	à	corrente	
mínima	no	dreno.	
7. Pergunta 7 
0/0 
Um	transistor	MOSFET	utiliza	o	efeito	de	campo	e	o	óxido	semicondutor	e	metal.	Entre	
eles,	se	destacam	os	transistores	nMOS	e	o	pMOS.		
Assinale	a	alternativa	correta.	
Ocultar opções de resposta 
1. O	MOSFET-E	poderá	ter	o	canal	n	ou	do	tipo	p.	
Resposta	correta	
2. Um	dos	principais	usos	dos	MOSFETs	é	a	amplificação	sonora.	
3. O	substrato	é	um	terminal	presente	nos	transistores	nMOS.	
4. Um	nMOS	é	constituído	de	material	do	tipo	n.	
5. Fazem	parte	de	um	pMOS	três	terminais:	a	fonte,	o	dreno	e	a	porta.	
8. Pergunta 8 
0/0 
Um	transistor	é	um	dos	tipos	de	componentes	eletrônicos	mais	utilizados	atualmente	e	
possibilitou	enormes	avanços	no	desenvolvimento	de	equipamentos	e	circuitos.		
Entre	as	características	citadas,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. São	dispositivos	semicondutores	feitos	a	partir	de	combinações	de	
materiais	do	tipo	p	e	n.	
Resposta	correta	
2. Podem	ser	de	dois	tipos	principais:	bipolares	e	unipolares	de	junção.	
3. A	maior	parte	é	feita	a	partir	de	germânio	dopado.	
4. São	utilizados	principalmente	para	a	redução	da	tensão	nos	circuitos	
eletrônicos.	
5. Foram	criados	na	década	de	80	e	revolucionaram	a	indústria.	
9. Pergunta 9 
0/0 
Estudar	a	relação	de	tensão	e	corrente	no	transistor	é	importante	não	só	para	
compreender	como	conectar	o	dispositivo	mas	também	no	projeto	de	boa	parte	dos	
circuitos	eletrônicos.		
Ainda	sobre	os	TBJs	e	a	relação	de	tensão	e	corrente	destes,	assinale	a	alternativa	
correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. A	partir	de	0,7	V,	observamos	um	aumento	exponencial	da	corrente	na	
base	para	um	aumento	menor	da	tensão	entre	o	emissor	e	a	base.	
Resposta	correta	
2. A	relação	entre	a	tensão	e	a	corrente	no	coletor	demonstra	as	duas	
regiões	distintas	de	operação	do	TBJ:	a	saturação	e	a	região	ativa.	
3. O	joelho	da	curva	de	tensão	e	corrente	na	base	retratam	a	corrente	de	
saturação	da	base	do	TBJ.	
4. A	potência	dissipada	pode	ser	calculada	pela	tensão	entre	o	emissor,	a	
base	e	a	corrente	no	coletor.	
5. A	tensão	emissor-coletor	é	dada	pela	corrente	no	coletor	e	pela	
resistência	usada	para	polarizá-lo.	
10. Pergunta 10 
0/0 
Comparando-se	tensão	e	corrente	no	dreno	é	possível	observar	algumas	relações	
importantes	em	um	transistor	nMOS	ou	pMOS.		
Assim,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. Cerca	de	0,7	V	são	suficientes,	em	média,	para	que	o	dreno	conduza	a	
corrente.	
2. A	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	tende	a	aumentar	junto	com	a	corrente	
no	dreno	até	um	determinado	valor,	quando	a	tensão	limiar	é	superada.	
Resposta	correta	
3. Se	utilizado	como	amplificador,	o	nMOS	tende	a	ter	um	aumento	da	
corrente	de	saturação	no	dreno.	
4. A	corrente	na	fonte	permanece	constante	com	o	aumento	na	corrente	do	
dreno.	
5. Para	valores	de	tensão	entre	a	porta	e	a	fonte	a	corrente	no	dreno	
aumenta	de	maneira	mais	intensa.

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