AOL 3- Eletronica

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1. O	transistor	bipolar	de	junção,	popularmente	conhecido	como	TBJ,	é	um	dos	principais	
tipos	de	transistores.		
Sobre	esses	transistores,	assinale	a	alternativa	correta:	
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1. Quando	não	polarizado,	um	transistor	NPN	equivale	a	dois	diodos	
associados.	
Resposta	correta	
2. Ao	polarizar	as	junções,	notamos	um	fluxo	de	elétrons	para	a	base.	
3. Em	um	transistor	do	tipo	PNP	a	corrente	circulará	do	coletor	para	o	
emissor.	
4. Em	um	transistor	NPN	a	corrente	circula	do	coletor	para	o	emissor.	
5. Na	polarização	de	um	TBJ,	devemos	utilizar	uma	fonte	de	tensão,	
alternada	na	base	e	outra	contínua	no	coletor.	
2. Pergunta 2 
0/0 
Os	JFETs	possuem	algumas	vantagens	consideráveis	para	determinadas	aplicações,	
com	relação	aos	TBJs,	é	a	alta	impedância	de	entrada.		
Assinale	a	alternativa	correta:	
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1. A	corrente	IDSS	corresponde	à	corrente	mínima	no	dreno.	
2. A	tensão	de	estrangulamento	(VGS)	corresponde	ao	início	da	região	ativa	
do	JFET.	
3. A	fonte	é	o	terminal	de	entrada	do	efeito	de	campo.	
4. Temos	uma	queda	de	tensão	de	cerca	de	1,4	V	em	um	JFET,	entre	a	porta	
e	o	dreno.	
5. A	corrente	máxima	de	um	JFET	ocorrerá	quando	for	conectada	a	porta	ao	
dreno.	
Resposta	correta	
3. Pergunta 3 
0/0 
Ainda	se	tratando	de	um	transistor	bipolar	de	junção,	nota-se	que	este	dispositivo	
possuirá	três	terminais:	o	emissor,	a	base	e	o	coletor.		
Sobre	esses	dispositivos,	assinale	a	alternativa	correta:	
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1. A	conexão	emissor-base	é	a	mais	utilizada	para	a	polarização	desse	tipo	
de	dispositivo.	
2. A	corrente	no	emissor	é	igual	à	soma	do	coletor	e	da	base.	
Resposta	correta	
3. Como	a	corrente	no	coletor	é	baixa,	é	válido	dizer	que	a	corrente	na	base	
é	aproximadamente	igual	à	corrente	no	emissor,	na	prática.	
4. O	parâmetro	alfa	de	corrente	contínua	é	geralmente	de	0,8	para	um	
transistor	do	tipo	TBJ.	
5. A	relação	de	ganho	de	corrente	estabelece	a	relação	entre	a	corrente	no	
coletor	e	no	emissor.	
4. Pergunta 4 
0/0 
O	JFET	é	um	transistor	de	junção	de	efeito	de	campo,	do	tipo	unipolar.	Sobre	estes	
dispositivos,	assinale	a	alternativa	correta	das	características	construtivas	destes:	
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1. Para	a	polarização	reversa	do	JFET,	utilizamos	uma	fonte	de	tensão	no	
dreno.	
2. Na	polarização	normal	do	JFET	fica	estabelecido	o	uso	de	uma	fonte	de	
tensão	CA	na	porta.	
3. O	JFET	é	feito	de	um	material	do	tipo	n,	com	regiões	na	porta	e	do	outro	
lado	do	tipo	p.	
Resposta	correta	
4. O	efeito	de	campo	está	relacionado	às	junções	estabelecidas	nestes	
transistores,	de	três	tipos	de	semicondutores.	
5. Um	transistor	JFET	possui	dois	terminais:	a	porta	e	o	dreno.	
5. Pergunta 5 
0/0 
Da	mesma	forma	que	os	outros	transistores,	um	nMOS	ou	um	pMOS	pode	ser	
polarizado	por	meio	de	ligações	específicas,	para	que	ele	opere	em	duas	regiões	
distintas.		
Assim,	sobre	a	polarização	desses	transistores,	assinale	a	alternativa	correta:	
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1. As	fontes	CC	são	utilizadas	para	ligar	um	transistor	pMOS	na	região	ativa	
para	polarização	normal	típica.	
2. A	tensão	de	saída	do	nMOS	será	semelhante	a	tensão	de	entrada,	porém	
com	1/3	da	amplitude.	
3. Deve-se	utilizar	uma	fonte	CA	para	ligação	na	porta	de	um	nMOS	de	
forma	a	polarizá-lo	diretamente.	
4. Na	polarização	normal	de	um	nMOS,	objetiva-se	polarizar	o	dispositivo	
para	que	ele	opere	na	região	ativa.	
5. Os	MOSFETs	nMOS	e	pMOS	são	polarizados	para	uso	na	região	ôhmica	de	
operação.	
Resposta	correta	
6. Pergunta 6 
0/0 
Com	a	porta	do	JFET	em	curto	na	polarização,	observa-se	a	região	ativa	do	dispositivo.		
Sobre	a	polarização	do	JFET,	analise	e	assinale	a	alternativa	correta.	
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1. A	tensão	de	corte	é	igual	à	contribuição	do	resistor	de	junção	mais	a	
tensão	no	coletor.	
2. Quando	a	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	atinge	seu	valor,	máximo	temos	
o	final	da	região	ativa.	
Resposta	correta	
3. A	partir	da	tensão	máxima	entre	o	dreno	e	a	fonte,	a	corrente	no	dreno	
tende	a	diminuir.	
4. Na	região	ôhmica,	o	JFET	pode	ser	aproximado	como	um	diodo	bipolar.	
5. O	valor	máximo	da	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	corresponde	à	corrente	
mínima	no	dreno.	
7. Pergunta 7 
0/0 
Um	transistor	MOSFET	utiliza	o	efeito	de	campo	e	o	óxido	semicondutor	e	metal.	Entre	
eles,	se	destacam	os	transistores	nMOS	e	o	pMOS.		
Assinale	a	alternativa	correta.	
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1. O	MOSFET-E	poderá	ter	o	canal	n	ou	do	tipo	p.	
Resposta	correta	
2. Um	dos	principais	usos	dos	MOSFETs	é	a	amplificação	sonora.	
3. O	substrato	é	um	terminal	presente	nos	transistores	nMOS.	
4. Um	nMOS	é	constituído	de	material	do	tipo	n.	
5. Fazem	parte	de	um	pMOS	três	terminais:	a	fonte,	o	dreno	e	a	porta.	
8. Pergunta 8 
0/0 
Um	transistor	é	um	dos	tipos	de	componentes	eletrônicos	mais	utilizados	atualmente	e	
possibilitou	enormes	avanços	no	desenvolvimento	de	equipamentos	e	circuitos.		
Entre	as	características	citadas,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. São	dispositivos	semicondutores	feitos	a	partir	de	combinações	de	
materiais	do	tipo	p	e	n.	
Resposta	correta	
2. Podem	ser	de	dois	tipos	principais:	bipolares	e	unipolares	de	junção.	
3. A	maior	parte	é	feita	a	partir	de	germânio	dopado.	
4. São	utilizados	principalmente	para	a	redução	da	tensão	nos	circuitos	
eletrônicos.	
5. Foram	criados	na	década	de	80	e	revolucionaram	a	indústria.	
9. Pergunta 9 
0/0 
Estudar	a	relação	de	tensão	e	corrente	no	transistor	é	importante	não	só	para	
compreender	como	conectar	o	dispositivo	mas	também	no	projeto	de	boa	parte	dos	
circuitos	eletrônicos.		
Ainda	sobre	os	TBJs	e	a	relação	de	tensão	e	corrente	destes,	assinale	a	alternativa	
correta:	
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1. A	partir	de	0,7	V,	observamos	um	aumento	exponencial	da	corrente	na	
base	para	um	aumento	menor	da	tensão	entre	o	emissor	e	a	base.	
Resposta	correta	
2. A	relação	entre	a	tensão	e	a	corrente	no	coletor	demonstra	as	duas	
regiões	distintas	de	operação	do	TBJ:	a	saturação	e	a	região	ativa.	
3. O	joelho	da	curva	de	tensão	e	corrente	na	base	retratam	a	corrente	de	
saturação	da	base	do	TBJ.	
4. A	potência	dissipada	pode	ser	calculada	pela	tensão	entre	o	emissor,	a	
base	e	a	corrente	no	coletor.	
5. A	tensão	emissor-coletor	é	dada	pela	corrente	no	coletor	e	pela	
resistência	usada	para	polarizá-lo.	
10. Pergunta 10 
0/0 
Comparando-se	tensão	e	corrente	no	dreno	é	possível	observar	algumas	relações	
importantes	em	um	transistor	nMOS	ou	pMOS.		
Assim,	assinale	a	alternativa	correta:	
Ocultar opções de resposta 
1. Cerca	de	0,7	V	são	suficientes,	em	média,	para	que	o	dreno	conduza	a	
corrente.	
2. A	tensão	entre	o	dreno	e	a	fonte	tende	a	aumentar	junto	com	a	corrente	
no	dreno	até	um	determinado	valor,	quando	a	tensão	limiar	é	superada.	
Resposta	correta	
3. Se	utilizado	como	amplificador,	o	nMOS	tende	a	ter	um	aumento	da	
corrente	de	saturação	no	dreno.	
4. A	corrente	na	fonte	permanece	constante	com	o	aumento	na	corrente	do	
dreno.	
5. Para	valores	de	tensão	entre	a	porta	e	a	fonte	a	corrente	no	dreno	
aumenta	de	maneira	mais	intensa.