Avaliação Final (Princípios de Eletrônica Analógica) -

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Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL. 
VP = 110 V 
VS1 = VS2 = 15 V 
RL = 100 Ω 
C = 1000 µF 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
VS1 = VS2 = 15 x √2 = 21,21 V (Vpp) 
Vcp = 21,21 – 0,7 = 20,51 V 
Vrpp = I / (f x C) 
 
Adotando f = 60 Hz: 
C = 1000 µF 
I = V/R 
I = 20,51 / 100 = 0,2051 A 
Vrpp = I / (f x C) 
Vrpp = 0,2051 / ( 60 x 0,001) 
Vrps = 3,418 V (tensão de Pico encontrada no Ripple) 
 
Vm carga = Vp na Carga – Vrpp/2 
Vm carga = 20,51 – (3,418/2) = 18,801 V (tensão média na carga) 
 
 
Princípios de Eletrônica Analógica - CT 
Aluno (a): José Remy Pinto da Silva Araújo Data: 17 / 03 / 2023. 
Avaliação Final NOTA: 
INSTRUÇÕES: 
 
❖ Esta Avaliação contém 08 questões, totalizando 10 (dez) pontos. 
❖ Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação 
o Nome / Data de entrega 
❖ As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta. 
❖ As questões que envolvem cálculo só serão avaliadas se constarem os mesmos. 
❖ Ao terminar grave o arquivo com o nome: Avaliação Final (nome do aluno). 
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 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga? 
 
E = 100V 
Q = 10 x 10-6 C 
C = Q / E 
C = 10 x 10-6 / 100 
C = 1 x10-7F ou 10 µF 
 
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais? 
C = Q / E 
100x10-9 = 50x10-6 / E 
100x10-9 E = 50x10-6 
E = 50x10-6 / 100x10-9 
E = 500V 
 
4. Especifique os capacitores abaixo conforme os dados dos seus encapsulamentos: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
a. Capacitor de Poliester, não polarizados, revestidos de resina epóxi, que utilizam como di-elétrico uma 
película de poliéster, podendo possuir capacidade de lidar com diferentes valores de tensão, além de 
apresentarem perdas reduzidas e excelentes fator de potência, são aplicados em circuitos de alta 
frequência e produzidos em escala de aproximada-mente 1nF a 10nF. Medida do capacitor 0,47 μF 
com +0u- 10% tolerância e 250V. 
 
b. Capacitores com código de cores, comum encontrar em equipamentos antigos. 47nF com +0u- 10% 
tolerância e 250V. 
 
c. Capacitor de cerâmica é formado por dois eletrodos metálicos, denominados armaduras, separadas 
por um material isolante denominado dielétrico. Medida do capacitor 4700pF com +0u- 20% tolerância 
e 50V. 
 
 
 
 
 
 
 
 
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5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais 
especificações, obtidas em um manual, são: 
 
IFmáx = 1 A 
VRmáx = 400 V 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6. O que é dopagem? 
 
A dopagem de um material semicondutor é o processo de adicionar impurezas controladas, chamadas 
de dopantes, ao material para alterar suas propriedades elétricas. Essa técnica é amplamente utilizada 
na fabricação de dispositivos eletrônicos, como diodos, transistores e circuitos integrados. 
 
Os materiais semicondutores puros, como o silício e o germânio, têm uma condutividade elétrica 
muito baixa, pois possuem um número igual de elétrons e lacunas (buracos) na sua estrutura 
cristalina. A adição de um dopante, como boro, fósforo ou arsênio, altera essa estrutura e introduz 
elétrons livres ou lacunas na rede cristalina, tornando o material semicondutor p-type (tipo-p) ou n-
type (tipo-n), respectivamente. 
 
 
7. Considere um transformador especificado para operar com tensão 110 V no primário e 15 V no 
secundário com capacidade de corrente de 1 A. Determine: 
 
 
 
a) A tensão eficaz no secundário (Vef) ao aplicar-se 127 V no primário. 
110 / 15 = 127 / VS2 
110 VS2 = 127 x 15 
VS2 = 1905 / 110 = 17,31V 
VS2 = 17,31V 
 
 
 
 
 
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b) A corrente no primário quando o transformador estiver fornecendo a corrente máxima no 
secundário (1 A). 
I2 = 1A 
110/15 = X / 1 
15 X = 110 
X = 110 / 15 = 7,33A 
X = 7,33A 
 
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Vp = 12V (Tensão máxima) 
T = 50ms 
F = 1 / 50 x 10-3= 20Hz 
ω = 2πf = 2π x 20 = 125,66 rad/s 
Vdc = (2 x Vp ) / π = (2 x 12) / π = 7,64V Vef = 12/√2 = 8,48V 
Vdc = 8,48 V 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Vef = 50V 
Vmax = 50 x √2 = 70,71V 
Vdc = (70,71 x 2) / π = 45,01 V 
T = 2μs 
F = 1 / T = 1 / 2.10-6 = 500000Hz 
ω= 2. π.f = 2 x π x 500000 = 3141,6 rad/s 
 
 
 
 
 
 
 
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Idc = 1A F = 400kHz 
Imax = Idc / π = 3,14 A 
Ief = 3,14 / 2 (por ser meia onda é apenas dividido por 2 ) = 1,57A 
F=1 / T = 400 x 103 = 1 / T 
T = 1 / 400 x 103 = 2,5 μs 
ω= 2 π f = 2 x π x 400 x 103 = 2513,27 rad/s 
ω = 2513,27 rad/s