Eletronica analogica PROVA

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1.
	Ref.: 6035944
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	Observando o circuito a seguir, determine a corrente que atravessa a resistência de carga.
		
	
	10 mA
	 
	9 mA
	
	0 mA
	
	11 mA
	 
	1 mA
	
	
	 2.
	Ref.: 6036044
	Pontos: 1,00  / 1,00
	
	Observe o circuito a seguir. Sabendo-se que o fotodiodo, quando não iluminado, apresenta uma resistência máxima de 10 kΩ e acende um diodo com uma tensão de 2,0 V, qual é a corrente que atravessa o fotodiodo nessa condição?
		
	 
	200 µA
	
	2 mA
	
	200 mA
	
	2 µA
	
	20 mA
	
	
	 3.
	Ref.: 5498401
	Pontos: 1,00  / 1,00
	
	Em um circuito retificador meia-onda com uma tensão de pico de 10 V, o valor da tensão média é igual a:
		
	
	10 V
	
	0,318 V
	
	0,636 V
	 
	3,18 V
	
	6,36 V
	
	
	 
		
	EM2120655 - O TRANSISTOR
	 
	 
	 4.
	Ref.: 5513229
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	Observando o circuito com transistor polarizado por um divisor de tensão, determine a tensão no emissor VB.
Fonte: EnsineMe.
		
	
	-16V
	 
	-3,16V
	 
	12,84V
	
	3,16V
	
	16V
	
	
	 5.
	Ref.: 5513235
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	Considere o circuito a seguir formado pelos seguintes elementos: RC = 2kΩ, RB = 400kΩ, rO = 2kΩ, re = 10Ω, VCC = 16V, Vce = 8V e um m ganho β = 100. Determine a corrente da base.
Fonte: EnsineMe.
		
	
	40,04mA
	 
	38,25µA
	 
	40µA
	
	4mA
	
	0µA
	
	
	 
		
	EM2120656 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
	 
	 
	 6.
	Ref.: 5737951
	Pontos: 1,00  / 1,00
	
	Determine a tensão de saída para o circuito da figura a seguir, considerando: Rf = 1MΩ; R1 = 100kΩ; R2 = 50kΩ e R3 = 500kΩ; V1 = 1V e V2 = 2V.
Fonte: Raphael de Souza dos Santos.
		
	
	20V
	 
	-20V
	
	-10V
	
	10V
	
	0V
	
	
	 7.
	Ref.: 5737953
	Pontos: 1,00  / 1,00
	
	Calcule o ganho do circuito amplificador da figura a seguir:
Fonte: Raphael de Souza dos Santos.
		
	
	-1
	
	10
	 
	1
	
	-10
	
	0
	
	
	 
		
	ENSINEME: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
	 
	 
	 8.
	Ref.: 4077454
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	O transistor da figura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine RE, RB, e RC sabendo que VCC = 20V, VCE = 3V, IB = 40µA e RC = 4RE.
		
	 
	RE = 1kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 4kΩ
	 
	RE = 850Ω, RB = 397,5kΩ, RC = 3,4kΩ
	
	RE = 850Ω, RB = 400kΩ, RC = 3,4kΩ
	
	RE = 1kΩ, RB = 400kΩ, RC = 4kΩ
	
	RE = 2kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 8kΩ
	
	
	 9.
	Ref.: 4092353
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	Observe a figura adiante, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.
Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação = 0,2 V e VBE = 0,67V), com β Forçado igual a 0,75 , o valor da resistência de base (RB) será de:
		
	 
	353,00 Ω
	
	1,79 kΩ
	
	3,53 kΩ
	
	38,83 Ω
	 
	7,06 kΩ
	
	
	 10.
	Ref.: 4092381
	Pontos: 0,00  / 1,00
	
	O transistor representado na figura abaixo é polarizado com uma corrente no coletor de 0,5 mA.
O ganho de voltagem (v0/vi)  para pequenos sinais é:
		
	
	+100 V/V
	 
	-1 V/V
	
	+10 V/V
	 
	-100 V/V
	
	-10 V/V