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Lista 1 de exercícios de transistores MOS 1. Considerando o esquema de polarização mostrado na figura 1, usando uma fonte de alimentação de 15 V, projete o esquema de polarização, determinando RG1, RG2, RS e RD (com precisão de 2 digitos decimais) , de maneira que a corrente de dreno seja de 2 mA e as tensões em RS e RD sejam aproximadamente 1/3 da tensão de alimentação. O valor do maior resistor RG1 ou RG2 deve ser 22 MΩ. Qual a diferença de valor entre a tensão de dreno e a tensão de saturação. Os parâmetros do transistor utilizado são: Vt = 1, 2V; = 0; k’n = 80 µA/V 2 ; W = 240 µm; L = 6 µm Resp: RG1 = 22 MΩ; RG2 = 20, 97 MΩ; RS = RD = 2, 50 kΩ VDS está 3, 88V acima do limite de saturação Figura 1: Polarização do transistor, usando resistor de fonte e fonte de alimentação simples. 2. Usando a topologia de polarização mostrada na figura 2, com fontes de alimentação de 15 V, determine RS e RD (com 2 digitos significativos), considerando RG = 10 MΩ de maneira que a corrente de dreno seja 2 mA e VD seja um valor intermediário entre a região de corte e a região de saturação. Os parâmetros do transistor utilizado são: Vt = 0, 8V; = 0; k’n = 50 µA/V 2 ; W = 200 µm; L = 4 µm Resp: RS = 6, 34 kΩ; RD = 0, 85 kΩ Figura 2: Polarização do transistor, usando resistor de fonte e duas fontes de alimentação. 3. Para o circuito de polarização mostrado na figura 1, com VG = 4 V e RS = 1kΩ, determine a corrente de polarização. Os parâmetros do transistor utilizado são: Vt = 2, 0V; k’n (W/L) = 2mA/V 2 Se for usado um transistor cujo parâmetro k’n (W/L) seja 50% maior, qual o aumento percentual em ID. Resp: ID = 1 mA; ID aumenta 13%. 4. O circuito de polarização da figura 1 é usado em um projeto, com VG = 5V e RS = 1kΩ. Para um transistor MOS com k’n (W/L) = 2 mA/V 2 a tensão medida da fonte (S) foi de 2V. Qual é a tensão de limiar (Vt) para o transistor utilizado. Se um outro transistor cujo Vt seja 0, 5 V menor qual será o novo valor de VS . Qual a nova corrente de polarização. Resp: ID = 1, 59 V; VS = 2, 37V ; ID = 2, 37 mA 5. Projete um circuito de polarização como o mostrado na figura 2 para um transistor MOS tendo Vt = 2, 0V; k’n (W/L) = 2mA/V 2 . Suponha que VDD = VSS = 10 V e projete para uma corrente de polarização de 1 mA e para obter o máximo ganho de tensão possível ( e portanto o maior valor de RD possível) consistente de modo a permitir uma excursão de 2 Vpp no dreno. Considere que o sinal de tensão no terminal fonte do FET seja zero. Resp: RS = 7 kΩ; RD = 11 kΩ 6. Usando um esquema de polarização com alimentação como os mostrado na figura 3, com uma fonte de alimentação de 9V e um transistor MOS com as seguintes características: Vt = 1, 0V; k’n (W/L) = 0, 4 mA/V 2 encontre RD para estabelecer uma corrente de dreno de 0, 2 mA. Resp: RD = 35 kΩ Figura 3: Circuito de polarização com RG de dreno para porta. 7. Para o circuito da figura 4, com I = 1mA, RG = 0, RD = 5k e VDD = 10 V, para os dois casos abaixo, determine as tensões VS , VD e VDS. (a) Vt = 1 V e k’n (W/L) = 0, 5 mA/V 2 (b) Vt = 2 V e k’n (W/L) = 1, 25 mA/V 2 Resp: a) VGS = 3V ;VS = -3V; VGS = 8 V; b) VGS = 3, 3 V ;VS = -3, 3 V; VGS = 8 V Figura 4: Polarização do transistor MOS usando fonte de corrente constante. 8. Para o circuito da figura 3, com RG = 10MΩ, RD = 10 kΩ e VDD = 10 V, para os dois casos abaixo, determine as tensões VD e VG. (a) Vt = 1 V e k’n (W/L) = 0, 5 mA/V 2 (b) Vt = 2 V e k’n (W/L) = 1, 25 mA/V 2 Resp: a) VD = VG = 2, 7 V; VD = VG = 3, 05 V 9. Considere o amplificador mostrado na figura 5 com os seguintes valores: Vt = 2, 0V; k’n (W/L) = 1mA/V 2 ; VGS = 4V ;VDD = 10V e RD = 3, 6 kΩ Determine: a) IC e VD ; b) gm no ponto de polarização; c) o ganho de tensão; d) considerando que = 0, 01/V, determine rO no ponto de polarização e determine o ganho de tensão. Resp: a) IC = 2 mA VD = 2, 8 V b) gm = 2 mA/V c) Av = -7, 2 V/V d) rO = 50 kΩ Av = -6, 7 V/V Figura 5: Amplificador com transistor MOS para pequenos sinais. 10. No circuito da figura 6, o transistor possui Vt = 0, 9V , VA = 50 V e opera com VD = 2 V. Determine o ganho de tensão. Quais os novos valores VD e do ganho de tensão se a corrente aumentar para 1 mA. Resp: Av = -7, 2 V/V; rO = 50 kΩ Av = -10, 8 V/V Figura 6: Amplificador com polarização com resistência dreno-porta. 11. Para o circuito da figura 7, considerando os seguintes parâmetros para o transistor MOS: Vt = 1, 0V; k’n (W/L) = 2mA/V 2 a) Determine VGS , VD e ID b) Determine rO e gm considerando VA = 100 V c) Desenhe o circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador considerando todos os componentes (capacitores em curto). d) Determine: Rin , vgs/vsig , vO/ vgs, vO/vsig Resp: a) VGS = 2V; VD = 7, 5V; ID = 1mA b) gm = 2mA/V; rO= 100 kΩ d) Rin = 3, 33 MΩ; vgs/vsig = 0, 97 V/V; vO/ vgs = 8, 2 V/V; vO/vsig = 7, 95 V/V Figura 7: Amplificador MOS fonte comum