simulado MATERIAIS ELÉTRICOS

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MATERIAIS ELÉTRICOS
	
	Simulado: CCE0252_SM_201401365248 V.1 
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	Aluno(a): ANDERSON PEREIRA DA ROSA
	Matrícula: 201401365248
	Desempenho: 8,0 de 8,0
	Data: 13/09/2015 20:09:10 (Finalizada)
	
	 1a Questão (Ref.: 201401648186)
	
	Para dimensionar um circuito elétrico é conveniente considerarmos a resistividade e a resistência elétrica. Diferencie conceitualmente a resistividade elétrica de resistência elétrica.
		
	
Sua Resposta: Resistencia é a denominação comum para dispositivos que transformam energia eletrica em energia termica e Resistividade é a propriedade de um material que se opoe a passagem de corrente elétrica
	
Compare com a sua resposta: Resistência revela a capacidade do material de resistir a passagem de corrente elétrica, depende do comprimento e da área do condutor.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201401562940)
	
	Considerando o gráfico a seguir, que mostra a relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente, aquele que pode ser denominado de ôhmico. Justifique a sua resposta.
 
 
 
		
	
Sua Resposta:
	
Compare com a sua resposta:
O condutor A é ôhmico, pois a relação entre V e i é linear.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201401642945)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
		 Gabarito Comentado.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201401561989)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
		
	
	200 (ohm.m) -1
 
	
	4 (ohm.m) -1
	
	100 (ohm.m) -1
 
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	
	50 (ohm.m) -1
 
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201401562005)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201401561991)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	Ba+2
	
	O-2
	
	 
B+3
 
	
	Al+3
 
	 
	As+5
 
		
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201401501958)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	 
	As afirmações III e V.
	
	Somente a afirmação III.
	
	As afirmações I, II e IV.
	
	As afirmações III e IV.
	
	As afirmações I, IV e V.
		
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201401561985)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a e=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.
		
	 
	0,72 m/s.
	
	50 m/s
	
	5 m/s
	
	7,2 m/s
	
	500.000 m/s
		
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201401562001)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico.  Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é:
		
	
	Resistividade elétrica.
	
	Condutividade elétrica.
	
	Supercondutividade elétrica.
	
	Resistência elétrica.
	 
	Mobilidade elétrica.
		
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201401561979)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	O novo comprimentopoderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.