AV2 Materiais Eletricos 2015.2

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Avaliação: CCE0252_AV2_201501208004 » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV2 
Aluno: 201501208004 - MOISES CRUZ SANTOS 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9001/AD 
Nota da Prova: 4,0 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 2 Data: 26/11/2015 15:32:00 (F) 
 
 
 1a Questão (Ref.: 161170) Pontos: 0,0 / 1,5 
A partir da década de 50 do século XX, a utilização de semicondutores extrínsecos em 
componentes eletrônicos se tornou prática corriqueira. Estes semicondutores são obtidos 
através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando 
portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, 
presentes nos condutores tipo-n. 
A partir da figura a seguir, identifique o tipo de condutor extrínseco, justificando a sua 
resposta 
 
. 
 
 
 
Resposta: A figura mostra uma rede cristalina de um semicondutor intrinseco de silicio. 
 
 
Gabarito: 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n, com 
impureza de Fósforo, o que representa um portador negativo excedente no sistema. 
 
 
 
 
 
 2a Questão (Ref.: 651980) Pontos: 0,0 / 1,5 
Para um resistor de quatro cores de resistência ôhmica de 3.300 ohms e tolerância de 10%, qual sua sequencia 
de cores? 
 
 
 
Resposta: 
 
 
Gabarito: Laranja (3), laranja (3), vermelho (2), prateado ( 10%) 
 
 
 
 
 
 3a Questão (Ref.: 160211) Pontos: 0,5 / 0,5 
Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou 
em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente 
nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a 
condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and 
Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4). 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade: 
 
 
 
F=m.a 
 
V=R.i 
 V=R i.A/l 
 
P=U.i 
 
V=N.i.E 
 
 
 
 
 
 4a Questão (Ref.: 160219) Pontos: 0,5 / 0,5 
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou 
maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se 
semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, 
P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo 
possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons 
livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento 
que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. 
 
 
 As+5 
 
 
Al+3 
 
 
B+3 
 
 
O-2 
 
Ba+2 
 
 
 
 
 
 5a Questão (Ref.: 726750) Pontos: 0,5 / 0,5 
A "Bell Telephone Laboratories" passou a década de 1940 tentando criar dispositivos eletrônicos comutadores 
que fossem mais eficientes e baratos que as válvulas utilizadas. Finalmente, em 1947, dois de seus 
pesquisadores, Walter H. Brittain e John Bardeen tiveram sucesso na criação de um dispositivo amplificador a 
partir de uma placa de silício imersa em solução salina; iniciava-se a era dos semicondutores. A modelagem 
física referente a estes materiais se desenvolveu bastante nos anos seguintes, originando conceitos como 
condutividade intrínseca, cuja expressão podemos descrever como p | e | b n | e | e. 
Com relação aos termos presentes na expressão anterior, podemos identificá-los como nos itens a seguir, 
comEXCEÇÂO de. 
 
 
 
e - mobilidade dos elétrons. 
 n - número de átomos por metro cúbico. 
 
| e |- módulo da carga dos elétrons. 
 
p - número de buracos por metro cúbico. 
 
b - mobilidade do buraco. 
 
 
 
 
 
 6a Questão (Ref.: 241212) Pontos: 0,5 / 0,5 
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando 
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz 
de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado 
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste 
processo. 
 
 
 
Ge+5 
 
Na+ 
 
Be+2 
 
O-2 
 P+5 
 
 
 
 
 
 7a Questão (Ref.: 160325) Pontos: 0,5 / 0,5 
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta 
capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como 
mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a 
razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, 
ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado 
na figura. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
 
Q0 = C. V 
 
C=Q0 / V 
 C=(Q0 + Q´) / V 
 
C=Q´/V. 
 
0. 
 
 
 
 
 
 8a Questão (Ref.: 101464) Pontos: 0,5 / 0,5 
Para satisfazer a Taxa de Transmissão e Ocupação dos Pares, os projetos de Engenharia em Cabos Telefônicos 
internos e externos devem considerar os parâmetros elétricos e as condições físicas da rede. Das alternativas 
abaixo, assinale a única verdadeira. 
 
 
 
As condições físicas podem ser Resistência elétrica e Atenuação. 
 
Os parâmetros elétricos podem ser Pupinização, Paralelos e Conexões 
 Os parâmetros elétricos podem ser Resistência elétrica, Atenuação, Perda de Retorno, outros Sinais e 
Crosstalk Next/Fext 
 
Os parâmetros elétricos podem ser Pupinização, Paralelos, Resistência elétrica, Atenuação, Perda de 
Retorno 
 
As condições físicas podem ser Perda de Retorno, outros Sinais e Crosstalk Next/Fext 
 
 
 
 
 
 9a Questão (Ref.: 576915) Pontos: 0,0 / 1,0 
Resistores possuem uma ampla gama de aplicações, entre elas uma muito comum, que torna os nossos dias 
mais agradáveis, pois nos proporciona banhos quentes através do aquecimento da água em chuveiros elétricos. 
Entre as proposições associadas aos resistores é INCORRETO afirmar: 
 
 
 
Os resistores podem ser especificados observando-se o valor da potência elétrica dissipada durante a 
operação. 
 Os resistores que possuem indicativo de tolerância são considerados de menor precisão, razão de constar 
a informação de tolerância para alertar o usuário. 
 Os resistores são comumente imunes a sinais de freqüência até 500 kHz. 
 
Os valores comuns de potência dissipada nos resistores comerciais podem variar de 1/16 W até 20 W. 
 
Os valores de tolerância dos resistores podem assumir valores como 0,1%, 1% e 2%. 
 
 
 
 10a Questão (Ref.: 99596) Pontos: 1,0 / 1,0 
Deseja-se construir um capacitor de 120 pF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,1 mm. O 
valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem 
utilizadas. 
 
 
 6,01 cm2 
 12,01 cm2 
 10,01 cm2 
 8,01 cm2 
 14,02 cm2 
 
 
 
 
 
Observação: Estou ciente de que ainda existe(m) 1 questão(ões) não respondida(s) ou salva(s) no sistema, e que mesmo 
assim desejo finalizar DEFINITIVAMENTE a avaliação. 
 
Data: 26/11/2015 15:55:09