Aula7_transistor_mos

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TE 046 Dispositivos Eletrônicos 1
TE 046
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Oscar C. Gouveia Filho
Departamento de Engenharia Elétrica 
UFPR
URL: 
www.eletrica.ufpr.br/ogouveia/te046
E-mail: ogouveia@eletrica.ufpr.br
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CAPÍTULO 6 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO MOS
5.1 ESTRUTURA FÍSICA DO TRANSISTOR MOS
Desenho esquemático do MOSFET canal n
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5.2 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR MOS
5.2.1 O Capacitor MOS
Acumulação
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Depleção
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Inversão
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5.2.2 Análise Qualitativa do Transistor MOS
Acumulação
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Depleção
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Inversão
_ _ _ _ _ _ _ _
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5.3 DETERMINAÇÃO DA CARACTERÍSTICA I-V DO MOSFET
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Exemplo: Considere um processo de fabricação MOS no qual L
min
= 0,18 nm, 
μ
n
= 440 cm2/V.s e V
T
= 0,35 V. 
a) Para um MOSFET de W/L = 2 μm/0,2 μm calcule V
GS
 e V
DSmmin
 para 
operar o transistor na saturação com uma corrente de 25 μA.
b) Para o dispositivo em a) ache o valor de V
GS
 necessário para operar o 
dispositivo como um resistor de 1000 Ω, para V
DS
 muito pequeno. 
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5.3.1 Característica I
D
- V
DS
 
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5.3.2 Característica de saída na saturação (modulação do comprimento do canal) 
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Resumo e Simbologia
i D=
1
2
n C ox
W
L
[vGS−V TnvDS−
1
2
vDS ² ] iD=
1
2
n C ox
W
L
vGS−V Tn ²
Região triodo Saturação
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5.4 TRANSISTOR PMOS
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Resumo e Simbologia
iD=
1
2
 p C ox
W
L
[vGS−V Tp vDS−
1
2
v DS ²]
iD=
1
2
 p C ox
W
L
vGS−V Tp ²
Região triodo
Saturação
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5.5 TECNOLOGIA CMOS
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