MAURICIO ELETRÔNICA BÁSICA

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Introdução 
Para entender como os diodos, transistores e circuitos integrados funcionam, você precisa primeiro 
estudar um pouco da estrutura atômica de alguns elementos, bem como os semicondutores, materiais que 
não são condutores nem isolantes. Os semicondutores contêm alguns elétrons livres, mas o que os faz 
diferentes é a presença de lacunas(estudadas posteriormente). 
Condutores 
 O cobre é um bom condutor. A razão desse fato fica clara quando olhamos sua estrutura atômica. O 
núcleo ou centro do átomo contém 29 prótons (+). Quando um átomo de cobre tem uma carga neutra, 29 
elétrons(-) orbitam o núcleo, como os planetas em torno do Sol. 
 
Órbita Número máximo de elétrons Átomo de Cobre 
K 2 
 
L 8 
M 18 
N 32 
O 32 
P 18 
Q 2 
 
Órbitas Estáveis 
O núcleo positivo atrai os elétrons planetários. A razão pela qual esses elétrons não se chocam com 
o núcleo é a força centrífuga ou força externa criada por seu movimento orbital. Quando um elétron está em 
uma órbita estável, a força centrifuga é exatamente igual à força de atração do núcleo. A força centrifuga 
diminui quando o elétron gira mais lentamente. É por isso que um elétron em uma órbita maior gira mais 
lentamente que um elétron em uma órbita menor. É necessária uma força centrífuga menor para anular a 
atração do núcleo. 
 
A Parte Central do Átomo e o Elétron Livre 
O núcleo e os elétrons internos não são de muito interesse no estudo da eletrônica. Nosso interesse 
maior serão as órbitas externas, também chamadas órbitas de valência. Essa órbita externa controla as 
propriedades elétricas do átomo. Para enfatizar a importância da órbita externa, podemos definir a parte 
central do átomo como sendo o núcleo e todas as órbitas internas. Para um átomo de cobre, a parte central 
é o núcleo (+29) e suas três primeiras órbitas (-28). 
A parte central de um átomo de cobre tem uma carga líquida igual a +1 porque ele contém 29 
prótons e 28 elétrons internos. Como o elétron de valência está numa órbita muito grande em torno da 
parte central com uma carga líquida de apenas +1, a atração pelo elétron externo é muito pequena. Em 
razão dessa pequena atração, o elétron externo é às vezes chamado elétron livre. 
 
A Principal Ideia 
 A ideia que você deve ter sempre em mente sobre um átomo de cobre é: como o elétron de valência 
é levemente atraído pela parte central, uma força externa pode facilmente deslocar esse elétron livre do 
átomo de cobre. Por isso o átomo de cobre é um bom condutor. A menor tensão pode fazer com que o 
elétron livre em um fio de cobre circule de um átomo para outro. Os melhores condutores (prata, cobre e 
ouro) possuem um simples elétron de valência. 
 
 
SEMICONDUTORES 
Um semicondutor é um elemento de valência quatro. Isso significa que um átomo isolado desse 
material possui quatro elétrons na sua órbita mais externa ou órbita de valência. O número de elétrons na 
órbita de valência é a chave para a condutibilidade. Os condutores possuem apenas um elétron de valência, 
semicondutores possuem quatro elétrons de valência e os isolantes, oito elétrons de valência. 
 
O Germânio 
O germânio é um exemplo de semicondutor: 
 
 
O Silício 
O material mais usado é o silício: 
 
 
Fixando a ideia 
O que acontece se o átomo de silício perder um elétron livre? 
 
OS CRISTAIS DE SILÍCIO/Ligações Covalentes 
 
 Quando átomos de Silício se combinam para formar um sólido, eles são arranjados segundo um 
padrão ordenado chamado cristal. Cada átomo cede um elétron na combinação, tornando o átomo central 
estável, uma vez que o mesmo fica com oito elétrons em sua órbita de valência. 
 
 Na verdade, os elétrons não pertencem mais a um átomo isolado; eles são agora compartilhados 
pelos átomos adjacentes; cada parte central tem uma carga igual a+4. As partes centrais atraem o par de 
elétrons mais próximo com forças iguais e opostas entre eles, essas forças mantêm os átomos agrupados. 
 Como cada elétron cedido está sendo puxado em sentidos opostos, o elétron é uma ligação entre as 
partes centrais; esse tipo de ligação química é conhecido como ligação covalente. Em um cristal de silício 
existem bilhões de átomos de silício, cada um com oito elétrons de valência; são as ligações covalentes que 
mantêm os átomos do cristal unidos, formando o sólido e produzindo a estabilidade; os oito elétrons de 
valência são chamados elétrons de ligação;um cristal de silício é um isolante quase perfeito na temperatura 
ambiente (aproximadamente 25°C). 
 
Apenas Oito Elétrons de Valência 
 Existem equações matemáticas avançadas que explicam parcialmente porque oito elétrons 
produzem a estabilidade química em diferentes materiais, mas nenhuma sabe na verdade porque o número 
oito é tão especial. É uma das leis experimentais, como a lei da gravidade. 
 
A Energia Térmica Pode Dar Origem a uma Lacuna 
A energia térmica em torno do cristal faz com que os átomos de silício vibrem dentro do cristal. Essa 
vibração é proporcional à temperatura, quanto maior a temperatura mais forte será a vibração mecânica dos 
átomos. Essas vibrações podem, ocasionalmente, deslocar um elétron da órbita de valência. Quando isso 
ocorre, o elétron liberado ganha energia suficiente para passar para outra órbita maior: 
 
Recombinação e Tempo de vida 
 Os elétrons livres se movem aleatoriamente através do cristal, ocasionalmente, um elétron livre se 
aproxima de uma lacuna e é capturado. Essa união de um elétron livre e uma lacuna é chamada 
recombinação. 
 
 
SEMICONDUTORES INTRINSECOS 
 Um semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. Um cristal de Silício será um semicondutor 
intrínseco se todos os átomos do cristal forem apenas de Silício. Na temperatura ambiente um cristal de 
silício comporta-se como um isolante, aproximadamente. 
 
 O Fluxo de Lacunas e Elétrons Livres 
 
 
 Observe a lacuna a esquerda, essa lacuna atrai o elétron de valência no ponto A. essa ação não é a 
mesma da recombinação, na qual um elétron livre cai em uma lacuna. Em vez de um elétron livre, temos um 
elétron de valência movendo-se para uma lacuna. 
DOIS TIPOS DE FLUXO DE CORRENTE 
 
 Os elétrons e as lacunas movem-se em sentidos opostos. A partir daqui, vamos visualizar a corrente 
em um semicondutor como o efeito combinado de dois tipos de fluxos: o fluxo de elétrons livres em um 
sentido e o fluxo de lacunas no sentido oposto. Os elétrons livres e as lacunas são chamados às vezes de 
portadores, porque transportam uma carga igual de um lugar para outro. 
 
DOPAGEM DE UM SEMICONDUTOR 
 Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é pela dopagem. Isso significa 
adicionar impurezas aos átomos de um cristal intrínseco para alterar sua condutibilidade elétrica. Um 
semicondutor dopado é chamado semicondutor extrínseco. 
 
Aumentando o Número de Elétrons Livres e Lacunas 
 As características dos materiais semicondutores podem ser alteradas pela adição de determinados 
átomos de impurezas no material semicondutor relativamente puro. Mesmo adicionada na razão de uma 
parte para 10 milhões essas impurezas são suficientes para alterar as propriedades elétricas do material. 
 Há dois materiais extrínsecos imprescindíveis para a fabricação de um dispositivo semicondutor: o 
material do tipo ne o material do tipo p. Os materiais do tipo n e do tipo p são formados pela adição de um 
número predeterminado de átomos de impureza em uma base de germânio ou silício. 
 
Material do Tipo n 
 O material do tipo n é criado com a introdução de elementos de impurezas que têm cinco elétrons 
de valência (pentavalente), como o antimônio, o arsênio e o fósforo. 
 
 As impurezas difundidas comcinco elétrons de valência são chamadas de átomos doadores. 
 É importante frisar que, mesmo que um grande número de portadores “livres” tenha se estabelecido 
no material do tipo n, ele continua eletricamente neutro, pois o número de prótons ainda é igual ao número 
de elétrons orbitando. 
Elétron 
Livre 
 
 
 Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna é chamada de 
portador minoritário, por não ter havido variação significativa na quantidade de lacunas em relação ao nível 
intrínseco e o número de elétrons exceder, em muito, o número de lacunas. 
Material do Tipo p 
 O material do tipo p é obtido dopando-se um cristal de germânio ou silício puro com átomos de 
impurezas que possuam três elétrons de valência, como o boro, o gálio e o índio. 
 
 As impurezas difundidas com três elétrons de valência são chamadas átomos aceitadores. 
 O material do tipo p resultante é eletricamente neutro, assim como o material do tipo n, devido ao 
equilíbrio no número de prótons e elétrons. 
 
 Em um material do tipo p, a lacuna é o portador majoritário, e o elétron é o portador minoritário, 
uma vez que o número de lacunas excede o número de elétrons. 
Junção PN 
Por si só, um pedaço de material semicondutor tipo n tem a mesma função de um resistor, o mesmo 
pode ser dito do semicondutor do tipo p. Mas “quando um fabricante” dopa um cristal, de modo que 
metade seja do tipo p e metade do tipo n, acontece um fato novo. 
A borda entre o tipo p e o tipo n é chamada junção PN. A junção PN deu origem a todos os tipos de 
diodos, transistores e circuitos integrados. 
O Diodo 
Quando os materiais são “unidos”, os elétrons e as lacunas da região de junção se combinam, 
resultando em uma ausência de portadores livres na região próxima à junção. 
 
Essa região descoberta constituída de íons positivos e negativos é chamada de região de depleção 
devido à depleção de portadores nessa região. 
Como o diodo é um dispositivo de dois terminais, a aplicação de uma tensão através de seus 
terminais permite três possibilidades: Nenhuma polarização, polarização direta e polarização reversa. 
 
Sem Polarização 
Cada vez que um elétron se difunde através da junção, ele gera um par de íons; quando um elétron 
sai do lado N, ele deixa para trás um átomo “pentavalente”, esse átomo passa a ser um íon positivo. Após a 
imigração, o elétron cai em uma lacuna do lado Pe faz com que o átomo trivalente que o capturou torne-se 
um íon negativo. De forma “direta”, quando está sem polarização, o diodo permanece sem fluxo em ambas 
as direções tendo em vista a anulação dos vetores na região de depleção. 
 
Sem polarização 
Logo: se VD=0 Volts, ID=0 mA. 
Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo de carga em qualquer sentido para um diodo 
semicondutor é zero. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Polarização Reversa 
 Se um potencial externo V volts for aplicado na junção PN de maneira que o terminal positivo esteja 
conectado ao material do tipo N e o terminal negativo esteja ligado ao material do tipo P, o número de íons 
positivos na região de depleção do material do tipo N aumentará devido ao grande número de elétrons 
“livres” arrastados para o potencial positivo da tensão aplicada. Por razões semelhantes o número de íons 
negativos aumentará no material do tipo P. 
 
Junção PN reversamente polarizada 
Portanto o efeito será uma ampliação da região de depleção. Essa ampliação estabelecerá uma 
barreira grande demais para os portadores majoritários superarem, reduzindo, efetivamente, o fluxo de 
portadores majoritários a zero. 
 A corrente existente sob a condição de polarização reversa é chamada de corrente de saturação 
reversa e é representada por IS. 
 A corrente de saturação reversa dificilmente ultrapassa alguns microampères, exceto para 
dispositivos de alta potência. 
 
Condição de polarização reversa para um 
Diodo semicondutor 
 
Polarização Direta 
 Uma condição de polarização direta ou de “condução” é estabelecida aplicando-se o potencial 
positivo ao material do tipo P e o potencial negativo ao material do tipo N. 
 
Junção pn diretamente polarizada 
A aplicação de um potencial de polarização direta VD “forçará” os elétrons do material do tipo N e as 
lacunas do material do tipo N a se recombinarem com os íons próximos da fronteira e a reduzirem a largura 
da região de depleção, essa redução resulta em um fluxo intenso de portadores majoritários através da 
junção. 
Os elétrons do material do tipo N “encontram” agora uma barreira reduzida na junção, devido à 
região de depleção reduzida e a uma forte atração pelo potencial positivo aplicado ao material do tipo P. A 
tensão através de um diodo polarizado de modo direto será geralmente menor que 1V. 
 
Condição de polarização direta para um 
Diodo semicondutor 
 Observe que o sentido de condução coincide com a seta do símbolo. 
 
 
 
 
 
 
 
Simbologia do Diodo 
 Na simbologia do diodo semicondutor a seta está associada ao componente do tipo P e a barra à 
região do tipo N, veja figura: 
 
 
Diodo Ideal x Diodo Real 
 “Um diodo semicondutor conduz bem na polarização direta e conduz mal na polarização reversa”. 
Idealmente, um “diodo retificador” funciona como um perfeito condutor (resistência zero) quando 
diretamente polarizado, comparando-se a uma chave fechada; e como um perfeito isolante (resistência 
infinita) quando polarizado reversamente, comparando-se a uma chave aberta. 
 Gráfico do Diodo Ideal (aproximações) e circuitos equivalentes: 
 
VD 
Zona de Não Condução 
Sem Polarização 
Região de Polarização Reversa 
Região de Polarização Direta 
 Por ter, o diodo, valores de resistência muito baixos costuma-se utilizar para cálculos de circuitos 
com diodos a segunda ideia de circuito equivalente, considerando apenas sua barreira de potencial(0,7 V 
para Silícioe 0,3 V para Germânio). 
 
 
 Exemplo: 
 Calcule a corrente na carga, sabendo que o diodo é de Silício. 
 
 
Curva Característica do Diodo 
 
De acordo com gráfico, para o diodo há um valor da tensão gerado pelaregião de depleção. Esse 
valor é de aproximadamente 0,7 volts para o silício e paraogermânio é de 0,3 volts. Nota-se que para valores 
abaixo de 0,7 há umapequena passagem de corrente e quando este valor é ultrapassado há umapassagem 
de níveis elevados de corrente elétrica.É possível ver também que no lado esquerdo do gráfico, há a parcela 
dacorrente de saturação para quando ocorrer polarização reversa. Esta parcela é na ordem demicro ou 
nanoamperes. Existe uma tensão VZ,chamada de tensão Zener, esta situação é a máxima tensão possível 
quepoder ser colocada reversamente. Se for aplicada uma tensão maior que opermitido, haverá uma 
condução reversa que poderá danificar tanto o diodo,bem como o circuito associado. 
 
Observação: 
 
O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado antes que o diodo entre na região 
Zener é chamado de Tensão de Pico Inversa (ou simplesmente PIV – PeakInverseVoltage) ou Tensão de Pico 
Reversa (PRV – Peak Reverse Voltage). 
 
 
Comparação: Diodos de Silício e Germânio 
Propriedades Silício Germânio 
Tensão PIV (Tensão de Pico Inverso) 1000 V 400 V 
Temperatura de Aplicação 200 °C 100 °C 
Zona de Condução (VD) 0,7 V 0,3 V 
 
 
Ponto de Operação 
 A carga aplicada tem normalmente um impacto importante sobre o ponto ou região de operação de 
um dispositivo. Se a análise for feita de forma gráfica, uma reta poderá ser desenhada sobre a curva 
característica do dispositivo, a qual representa a carga aplicada. A interseção da reta de carga com a curva 
característica determinará o pontode operação do sistema. Esse é um recurso usado para calcular o valor 
exato da corrente e da tensão no diodo. 
 O ponto de operaçãoé normalmente chamado de ponto quiesciente(abreviado por “ptQ”) para 
refletir suas qualidades de imobilidade, inércia definidas para um circuito corrente contínua. 
 
Suponha o circuito a seguir: 
 
 
 
Como podemos calcular os valores exatos de corrente e tensão? 
 Aplicando a lei de Kirchhoff para tensões no circuito em série, temos: 
 E – VD – VR = 0 
ou E = VD + ID R 
 
 Logo: em qualquer ponto do eixo horizontal ID= 0 A e em qualquer ponto do eixo vertical VD = 0 V; Se 
atribuirmos VD = 0 V na equação e a solucionarmos para ID teremos o valor de IDno eixo vertical. 
Portanto com VD = 0 V, a equação se torna: 
 E = VD + ID R 
 E = (0 V) + ID R 
 ID=
𝐄
𝐑
 
 
 
 
 
Se atribuirmos ID= 0 A na equação e a solucionarmos para VD, teremos o valor de VDno eixo horizontal. 
 
Logo, com ID= 0 A, a equação se torna: 
 E = VD + ID R 
 E = VD + (0 A)R 
 E = VD 
 VD = E 
 
Agora temos uma reta de carga definida pelo sistema e uma curva característica definida pelo dispositivo. O 
ponto de interseção entre ambas representa o ponto de operação para esse circuito. 
 
 (Ir a exercício 01)(Ir a exercício 02) 
 
 A reta de carga é determinada unicamente pelo circuito empregado, enquanto a curva característica 
é definida pelo dispositivo escolhido. 
 
 
 Os resultados obtidos utilizando a curva característica completa do diodo são similares aos obtidos 
utilizando a curva característica do diodo usual; o que sugere o uso do modelo usual por não haver a 
necessidade de reproduzir fielmente a curva do diodo nem a necessidade de escalas grandes para o gráfico. 
Linha de Carga 
Ponto de operação 
Curva característica 
Retificação – Meia-onda e Onda Completa (com filtro e sem filtro) 
 
 As empresas distribuidoras de energia no Brasil fornecem um padrão monofásico de 127V ou 
220Vem corrente alternada CA, na maioria dos equipamentos essa tensão é reduzida para valores inferiores, 
compatíveis com dispositivos eletrônicos (24V – 12V – 5V) através de transformadores e depois convertidos 
em corrente contínua CC; essa conversão de CA em CC é conhecida como retificação, pode ser de meia onda 
ou onda completa, com filtro ou sem filtro e é realizada através de diodos retificadores. 
 O gráfico abaixo representa de forma simplificada o formato de onda da tensão distribuída no Brasil: 
 
 O valor RMS (valor eficaz) da tensão é igual a 70,7% do valor máximo ou valor de pico: 
 VRMS= 0,707 VP 
 
 
Retificação de meia onda 
 O circuito mais simples capaz de converter uma corrente alternada em corrente contínua é o 
retificador de meia onda. 
 
 
 Observando, percebemos que no semiciclo positivo da tensão o diodo está polarizado diretamente, 
porém no semiciclo negativo ele está polarizado reversamente. Utilizando a ideia do diodo ideal percebemos 
que o semiciclo positivo aparecerá na carga, porém o semiciclo negativo não. 
 O valor CC médiopode ser descrito como: 
 VCC = 0,318 VP 
 
Onde VPé o valor de pico do sinal de meia onda na carga. 
 
Exemplo: 
Para uma tensão de pico de 34 V o valor CC médio seria: VCC = 0,318 (34 V) = 10,8 V. 
Para o diodo diretamente polarizado, para os valores de tensão menores que 0,7 V (Si), o diodo é um 
circuito aberto. 
Sendo assim: VCC ≡ 0,318 (Vp - VD). 
 
Invertendo o diodo, a tensão de saída será negativa, o diodo conduzirá apenas no ciclo negativo, 
devendo ser respeitado o PIV, que deverá ser maior que o valor de pico da tensão: 
 
 
Obs.: A frequência do sinal de saída continuará sendo o mesmo valor de frequência da rede. 
 
Retificação de meia onda com filtro 
A tensão de saída de um retificador aplicada em uma carga é pulsante, a maioria dos circuitos 
eletrônicos necessita de uma tensão estável ou constante, como a de uma bateria; para obter esse tipo de 
tensão retificada na carga precisamos de filtro. 
O tipo mais comum é o filtro com capacitor em paralelo com o circuito de carga: 
 
 
A tensão CC na carga agora é mais estável ou quase constante, a única diferença para uma tensão CC 
pura é a pequena ondulação ripple causada pela carga e descarga do capacitor. Quanto menor a ondulação 
melhor; uma forma de reduzir essa ondulação é pelo aumento da constante de tempo de descarga que é 
igual a RLC. 
 
Retificador de onda completa 
O nível de tensão CC obtido a partir de uma entrada senoidal CA pode ser melhorado 100% 
utilizando um processo chamado de retificação de onda completa, podendo ser em um circuito de tomada 
central ou em ponte, sendo o circuito em ponte o mais usado. Nesses casos a frequência do sinal de saída 
passa a ser duas vezes a frequência do sinal de entrada. Como resultado a "ondulação é menor" e a tensão 
de saída CC mais próxima do valor de pico. 
 
 
 
 
 
Tensão 
CA 
Rede 
 
Configuração em Tomada Central 
 
 
 
Configuração em Ponte 
 
Para os dois tipos, como a área acima do eixo do gráfico para um ciclo agora é o dobro da área 
obtida para um circuito de meia onda, o nível de CC também foi dobrado: 
 
Sendo: VCC = 0,636 VM 
Levando em conta a queda de tensão dos diodos temos: 
VCC = 0,636 ( VP - 2VD). 
 
 
Retificação de onda completa com filtro 
No circuito de retificação de onda completa também são usados capacitores como filtro, em paralelo 
com o circuito de carga: 
 
 
"A eletrônica não é uma ciência exata como a matemática pura," por isso utilizaremos mais uma vez 
a idéia de que o diodo não possui resistência interna (mesmo possuindo uma resistência mínima, como visto 
anteriormente) e levaremos em conta apenas sua queda de tensão VD, logo: 
VCC = VP - 2VD 
 
Expressões para o uso dos retificadores 
 
Retificador de Meia Onda 
O circuito retificador de meia onda pode ser visto na Figura 1 e as formas de onda correspondentes na 
Figuras 2. 
 
Figura 1. Retificador de meia onda: (a) sem filtro; (b) com filtro. 
 
Figura 2. Forma de onda da saída de um retificador de meia onda (a) sem filtro e (b) com filtro. 
 
Na saída do retificador de meia onda obtemos um sinal pulsado com tensão em apenas meio ciclo. Assim 
não está havendo aproveitamento total da entrada. 
Ao colocarmos um capacitor como filtro, este se carregará quando a entrada for maior do que a saída. Nas 
descidas do sinal, o diodo para de conduzir e o capacitor fornece a corrente para a carga. Nesse período a 
forma de onda de saída é exponencial decrescente. A variação da tensão de saída é denominada ripple e é 
dada por: 
 
Retificador de Onda Completa 
 
O retificador de onda completa aproveita os dois ciclos do sinal de entrada, gerando um sinal pulsado com 
um período igual ao dobro da freqüência de entrada. Temos basicamente dois tipos de circuito retificador de 
onda completa: retificador com center tap (derivação central) e retificador em ponte. 
A ponte de diodos é uma construção muito conhecida. O circuito de um retificador em ponte pode ser visto 
na Figura 3. Quando a tensão VS é positiva, D1 e D2 conduzem e a corrente na carga é positiva. Quando VS é 
negativa, D3 e D4 conduzem, mantendo o mesmo sentido da corrente, conseqüentemente a corrente na 
carga também é positiva. O resultado é o mesmo do retificador em center tap e é mostrado na Figura 4. 
 
Figura 3 – Retificador de onda completa em ponte: (a) sem filtro; (b) com filtro 
 
(a) (b) 
Figura 4– Forma de onda de um retificador em onda completa (a) sem filtro e (b) com filtro: Center tap 
ou ponte.Como os picos são mais próximos no retificador em onda completa, o tempo de descarga do capacitor é 
menor e, por conseguinte o ripple é menor, para a mesma corrente de carga. A variação da tensão de saída é 
dada por: 
 
A tensão media aplicada a carga no caso de um retificador em meia ponte sem filtro é dada por: 
Vm = Vp/π 
Enquanto que a tensão media aplicada a carga no caso de um retificador em onda completa sem filtro é 
dada por: 
Vm = 2Vp/ π 
 
 
Circuitos Especiais com Diodos 
 
Ceifador 
Os ceifadores têm a capacidade de "ceifar" (cortar) uma porção do sinal de entrada sem distorcer o 
restante do sinal de onda alternada. 
Há duas categorias gerais de ceifadores: os em série e os em paralelo. A configuração em série é 
definida como aquela em que o diodo está em série com a carga, enquanto a em paralelo tem o diodo em 
paralelo à carga. 
 
Ceifador Série de Sinal Negativo (Ceifa o sinal negativo)
 
 
Ceifador Série de Sinal Positivo
 
 
 
 
 
Ceifador Paralelo de Sinais Negativos
 
 
Ceifador Paralelo de Sinais Positivos
 
 
Ceifadores Paralelos Polarizados 
 
Ceifador Paralelo de Parte do Sinal Negativo (Simulação) 
V0
 
 
*** Ceifador Paralelo de Parte do Sinal Positivo (Simulação)
 
 
Ceifador Paralelo Gerador de Pulso Negativo (Simulação)
 
 
Ceifador Paralelo Gerador de Pulso Positivo (Simulação)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Ceifador Paralelo com Polarização Dupla 
Ceifador ao Nível da Barreira de Potencial do Diodo
 
Barreira de potencial aproximada de 0,3V para Germânio e 0,7V para Silício. 
 
 
 
Ceifador Paralelo Duplo Nível Qualquer (Simulação)
 
 
 
 
Circuitos Grampeadores 
O circuito grampeador é aquele que "grampeia" o sinal em um nível DC diferente do sinal de 
entrada sem afetar a forma de onda. 
 
 
Para facilitar o entendimento tomemos um sinal de entrada quadrado do seguinte circuito 
grampeador típico: 
 
No instante em que a entrada assuma 10V o circuito comporta-se como mostra a figura 1: 
O capacitor carrega-se rapidamente, a tensão de saída será 0V, devido ao curto nos terminais. 
Quando a entrada assume -20V, o circuito comporta-se como mostra a figura 2: 
Nessas condições o capacitor tenderá a descarregar-se pelo resistor de forma lenta em relação ao 
tempo de oscilação do sinal de entrada. 
 
 
 
 Figura 1 Figura 2 
 
 
Dessa forma o tensão nos terminais de saída será: -20 - 10 = -30V, e o sinal de saída conforme figura 
abaixo: 
 
 
 
Circuito Grampeador Polarizado 
 
Grampeador Negativo com Polarização Positiva 
 
No semi-ciclo positivo o circuito equivalente tem o aspecto mostrado na figura 1: 
No semi-ciclo negativo o circuito equivalente tem o aspecto mostrado na figura 2: 
 
 Figura 1 Figura 2 
Forma de onda para o grampeador negativo com polarização positiva: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
***Grampeador Positivo com Polarização Positiva 
 
Atenção para a polaridade do capacitor 
 
Forma de onda para o grampeador positivo com polarização positiva (V entrada = 20Vpp): 
 
 
Grampeador Positivo com Polarização Negativa 
 
Atenção para a polaridade do capacitor 
 
Forma de onda para o grampeador positivo com polarização Negativa (V entrada = 20Vpp): 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Grampeadores e o Sinal Senoidal (Simulação) 
 Os grampeadores funcionam da mesma forma para os sinais senoidais (V entrada 20Vp). 
 
 
Multiplicadores de Tensão 
 O circuito multiplicador de tensão é aquele que aumenta o valor de uma tensão AC (senoide) por um 
valor inteiro maior ou igual a dois. Os mais comuns são o Dobrador, o Triplicador e o Quadriplicador de 
Tensão.São basicamente constituídos por retificadores que, em função do número de estágios, conseguem 
retificar e multiplicar o valor da tensão de pico da entrada. 
 Logicamente, com o aumento da tensão de saída, há uma diminuição da corrente que o circuito 
pode fornecer. 
 
Dobrador de Tensão de Meia Onda 
 
 No semi-ciclo positivo (D1 conduz e D2 corta) o capacitor C1 se carrega com Vm. 
 
 
 
 
 No semi-ciclo negativo (D1 corta e D2 conduz) o capacitor C2 se carrega com -(Vm + Vc1)= -2Vm 
 
 Resultado: No capacitor C2 temos o dobro da tensão de pico Vm. 
 
Dobrador de Tensão de Onda Completa 
 
 No semi-ciclo positivo (D1 conduz e D2 corta) o capacitor C1 se carrega com Vm. 
 
 
No semi-ciclo negativo (D1 corta e D2 conduz) o capacitor C2 se carrega com Vm. 
 
 Resultado: Nos capacitores C1 e C2 temos o dobro da tensão de pico Vm. 
 
 
Triplicador e Quadruplicador de Tensão 
 
 O triplicador de tensão segue o mesmo princípio do dobrador de meia onda, apenas aumentando o 
número de estágios.