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Perguntas de revisão
5.1 Quais são as principais propriedades da memória semicondutora?
apresentam dois estados estáveis (ou semiestáveis), que podem ser usados para
representar o binário 1 e 0;
são capazes de ser escritas (pelo menos uma vez), para definir o estado; e
são capazes de ser lidas, para verificar o estado.
5.2 Quais são os dois sentidos em que o termo memória de acesso aleatório é
usado?
Um sentido é que o termo Memória de Acesso Aleatório é usado para
caracterizar a memória semicondutora RAM (Random Access Memory), outro
sentido é que existem outas memórias como ROM, PROM, EPROM, EEPROM
e Memória Flash que o acesso a elas é aleatório, ou seja, palavras individuais da
memória são acessadas diretamente por meio da lógica de endereçamento
interna. Logo todas essas memórias são Memória de Acesso Aleatório.
5.3 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos de aplicação?
A DRAM é usada para a memória principal, e a SRAM é usada para a memória
cache.
5.4 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos das características como
velocidade, tamanho e custo?
Velocidade: As SRAM geralmente são um pouco mais rápidas que as DRAM.
Tamanho: Uma célula de memória dinâmica (DRAM) é mais simples e menor que
uma célula de memória estática (SRAM).
Custo: A DRAM é mais densa (células menores = mais células por unidade de
área) e mais barata que uma SRAM correspondente. Por outro lado, uma DRAM
requer o suporte de um circuito de refresh. Para memórias maiores, o custo fixo
do circuito de refresh é mais do que compensado pelo menor custo variável das
células de DRAM.
5.5 Explique por que um tipo de RAM é considerado como analógico e o outro
digital.
A RAM Dinâmica (DRAM) é considera analógica pelo fato de armazenar dados
como cargas em capacitores, onde a presença ou ausência de carga em um
capacitor é interpretada como um binário 1 ou 0 (bits), porém esses capacitores se
descarregam com o tempo gradativamente, e exigem uma recarga periódica
("refresh" de memória) para manter o dado armazenado. Já a RAM Estática
(SRAM) é considerada digital, pois os valores binários são armazenados por meio
de configurações das portas lógicas de um flip-flop tradicional, ela manterá seus
dados enquanto houver energia fornecida a ela.
5.6 Quais são algumas aplicações para a ROM?
Uma aplicação importante das ROM é a microprogramação.
Outras aplicações em potencial incluem:
bibliotecas de funções de uso frequente;
programas do sistema;
tabelas de função.
5.7 Quais são as diferenças entre EPROM, EEPROM e memória flash?
A memória somente de leitura programável e apagável (EPROM) é lida e escrita
eletricamente. Porém, antes de uma operação de escrita, todas as células de
armazenamento precisam ser apagadas para retornar ao mesmo estado inicial, pela
exposição do chip empacotado à radiação ultravioleta. Cada apagamento pode
levar até 20 minutos para ser realizado.
A memória somente de leitura programável e apagável eletricamente (EEPROM)
é uma memória principalmente de leitura que pode ser escrita a qualquer
momento sem apagar o conteúdo anterior; somente o byte ou os bytes
endereçados são atualizados. A operação de escrita leva muito mais tempo do que
a operação de leitura, na ordem de muitas centenas de microssegundos por byte.
A memória flash (que tem esse nome devido à velocidade com que pode ser
reprogramada) é intermediária entre a EPROM e a EEPROM tanto no custo
quanto na funcionalidade. Assim como a EEPROM, a memória flash usa uma
tecnologia elétrica de apagamento. Uma memória flash inteira pode ser apagada
em um ou alguns segundos, o que é muito mais rápido que a EPROM. Além
disso, é possível apagar apenas blocos de memória, ao invés de um chip inteiro.
Porém, a memória flash não oferece apagamento em nível de byte.
5.8 Explique a função de cada pino na Figura 5.4b.
Pinos A0-A10: pinos de linhas de endereço;
Pinos D1-D4: pinos de linhas de dados de entrada/saída;
Pinos WE e OE: indicam se a operação é de escrita ou leitura;
Pino RAS: sinais de seleção de endereço de linha, permitindo a temporização do
chip;
Pino CAS: sinais de seleção de endereço de coluna, permitindo a temporização do
chip;
Pinos Vcc: fonte de alimentação para o chip;
Pinos Vss: pino de terra;
Pino NC: pino de nenhuma conexão que é fornecido para que haja um número par
de pinos.
5.9 O que é bit de paridade?
Bit de paridade é usado para detectar erro no envio/submissão da mensagem
(geralmente caracteres). Para evitar erros na transmissão é adicionado um bit de
paridade a mensagem, um bit a mais que segue duas regras simples:
Se o número de bits "1" da mensagem for impar adiciona-se um "1" no
final da mensagem;
Se o número de bits "1" da mensagem for par é adicionado um "0" no final
da mensagem;
Assim se existir um número impar de bits "1" na mensagem, e o bit de paridade
for "0" o computador saberá que ocorreu um erro na transmissão.
5.10 Como é interpretada a palavra síndrome para o código de hamming?
A palavra síndrome (conjunto de sintomas) do código de hamming é utilizada
para descobrir se existe algum erro de leitura de uma palavra armazenada na
memória, identifica o bit com erro.
5.11 Como a SDRAM difere de uma DRAM comum?
Uma das formas mais utilizadas de DRAM é a DRAM síncrona (SDRAM).
Diferente da DRAM tradicional, que é assíncrona, a SDRAM troca dados com o
processador sincronizado com um sinal de clock externo e executando na
velocidade plena do barramento do processador/memória, sem imposição de
estados de espera.