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Materiais Elétricos Exercício 10-02/2016

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CCE0252_A10_201403194424
	 
	
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Aluno: GUSTAVO LEONARDO BARBOZA GUIMARAES LOPES DE SOUZA
Matrícula: 201403194424
Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS 
Período Acad.: 2016.2 (G) / EX
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Prezado (a) Aluno(a),
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que este exercício é opcional, mas não valerá ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de questões de múltipla escolha (3).
Após a finalização do exercício, você terá acesso ao gabarito. Aproveite para se familiarizar com este modelo de questões que será usado na sua AV e AVS.
1.
Um capacitor é construído com duas placas quadradas de 2 cm x 2 cm cada. Se o dielétrico possui a espessura de 0,01 m e é constituído de ar, calcule sua capacitância. εo = 8,85 x 10-12 F/m
b) C = 0,354 µF
a) C = 0,022 pF
e) C = 0,00022pF
c) C = 3,54 nF
d) C = 0,354 pF
2.
Deseja-se construir um capacitor de 12 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
1.453 cm2
1.102 cm2
1.345 cm2
978 cm2
1.201,3 cm2
3.
Deseja-se construir um capacitor de 22 nF utilizando-se duas placas paralelas com área de 230 cm2 cada uma. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine o afastamento entre as placas para atender-se a esta especificação.
3,3 x10-2 mm
6,6 x10-2 mm
5,5 x10-2 mm
2,2 x10-2 mm
4,4 x10-2 mm
4.
Deseja-se construir um capacitor de 180 nF utilizando-se duas placas paralelas com 250 cm2 de área cada uma e espaçadas de 0,01 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.
8,14
10,14
14,14
16,14
12,14
5.
Suponha que você, aluno conhecedor das propriedades elétricas dos materiais deseja diminuir a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 30 ohms para 25 ohms. Sabendo-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 12m, pode-se dizer que:
Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
O novo comprimento deverá ser de 10 m.
O novo comprimento poderá estar entre 11m e 12m.
O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 50% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
O novo comprimento deverá ser de 14,4m.
6.
Assinale a alternativa correta:
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,3V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,7V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 1V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,3V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,7V.
7.
O resistor de aquecimento de um forno é constituído por um fio de 2m de comprimento e 1mm2 de seção. Quando ligado a uma tensão de 220V dissipa uma potência de 4,4 kW. A resistividade do material do fio em Ohmxm. é de:
5,5 x 10-6
11 x 10-5
5,5 x 10-3
5,5 x 10-5
11 x 10-6
8.
Deseja-se construir um capacitor de 220 pF utilizando-se duas placas paralelas com área de 230 cm2 cada uma. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,6. Determine o afastamento entre as placas para atender-se a esta especificação.
1,4 mm
2,4 mm
0,4 mm
4,4mm
3,4 mm
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Legenda:   
 
 Questão não respondida
 
 
 Questão não gravada
 
 
 Questão gravada
	
Exercício inciado em 03/10/2016 19:36:01.
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_1537288132.unknown
_1537288134.unknown
_1537288135.unknown
_1537288133.unknown
_1537288130.unknown
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_1537288129.unknown
_1537288124.unknown
_1537288126.unknown
_1537288127.unknown
_1537288125.unknown
_1537288122.unknown
_1537288123.unknown
_1537288121.unknown
_1537288112.unknown
_1537288116.unknown
_1537288118.unknown
_1537288119.unknown
_1537288117.unknown
_1537288114.unknown
_1537288115.unknown
_1537288113.unknown
_1537288108.unknown
_1537288110.unknown
_1537288111.unknown
_1537288109.unknown
_1537288104.unknown
_1537288106.unknown
_1537288107.unknown
_1537288105.unknown
_1537288100.unknown
_1537288102.unknown
_1537288103.unknown
_1537288101.unknown
_1537288098.unknown
_1537288099.unknown
_1537288097.unknown
_1537288096.unknown

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